Сдрам ддр 2

МТ46В16М16П-5Б: К ТР 46В16М16 СДРАМ - параллель 200МХз 700пс 66-ТСОП ИК 256Мб памяти ГДР (16М кс 16) Список других электронных блоков в запасе ТЛЭ6250......

SDRAM - память IC MT46V16M16P-5B ГДР: Параллель m 256Mbit 200 MHz 700 обломок Ps 66-TSOP электронный IC ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали MT46V16M.........

MT40A1G16KD-062E: Обломоки IC электронных блоков e Chipscomponent MT40A1G16KD-062E: Бренд первоначальное FBGA-96 обломока E ГДР SDRAM IC электрон.........

1-1473005-1 TE Connectivity AMP Connectors 1473005 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRAM Подробности : 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRA.........

MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - 1 ГБ DDR SDRAM Найти информацию здесь в stock.xlsx Введение: MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - это модуль DDR SDRAM емкостью 1 ГБ,........

Перечисление продукта:MT41K256M16TW-107 AIT: Обломоки флэш-памяти p Параметры: - Емкость: 256Mb - Организация: 16M x 16 - Тип: SDRAM - Плотность: 4Gb.......

ДВОЙНАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ (DDR) SDRAM ФУНКЦИИ • Тактовая частота 167 МГц, скорость передачи данных 333 Мбит/с/п • VDD = +2,5.........

...

H5AN8G6NCJR-VKC Микросхема памяти Synchronous Dynamic Random Access Memory FBGA96 DDR SDRAM [Преимущества MJD] + 15 лет опыта работы......

Технические данные продукта ЕС RoHS Уступчивый ECCN (США) EAR99 Состояние части Устарелый Автомобильный......

Память IC Samsung K4A4G165WF-BCTD FBGA-96 ГДР SDRAM Память IC интегральная схемаа которая конструирована для того чтобы накапливать данные и запрогра.......

Параметры продуктаИсправление данныхПросмотр аналогичных продуктов Атрибуты Значения параметров Каталог продуктов DDR SDRAM Архитектура памяти (формат......

Авиационные компоненты BIS10PLN0314F Стандартные круглые контакты из медного сплава Описание авиацио......

Применение: Пакет FCBGA, пакет FCCSP, субстрат памяти NandFlash, полупакет, полупроводники, полупроводники, пакет IC, субстрат IC, uMCP, MCP, UFS, CMO......

мы также имеем много других деталей ИК в запасе, пльс добросердечно проверяем его: СДРАМ- ПК100 СД 8Мкс16-10 ФБГА неэтилированное ЭДС1216ГАБХ-10-Э Элп......

Подробная информация о продукции Функциональное описаниеDDR SDRAM использует архитектуру двойной скорости передачи данных для достижения выс.........

Поколения Х9ХКНННБПУМЛХР НМО 4 низкой мощности удваивают оперативное запоминающее устройство тарифа данных одновременное динамическое .........