китай категории
Русский язык

16Мкс16 проходят обломок прошед параллельно параллельно 46В16М16 СДРАМ ИК интегральной схемаы - память ИК 256Мб ГДР

Номер модели:MT46V16M16P-5B: K TR
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:Самая небольшая упаковка/свяжется мы
Термины компенсации:Западное соединение, T/T, Paypal
Способность поставкы:консультация
Срок поставки:2-3 рабочих дней
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: C12F, площадь Huaqiang, Huaqiangbei Шэньчжэнь, Китай 518031
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

MT46V16M16P-5B: K TR 46V16M16 SDRAM - параллель 200MHz 700ps 66-TSOP IC 256Mb памяти ГДР (16M x 16)

Список других электронных блоков в запасе
TLE6250PGV33INFINEON KGF1155OKI
TC74HC07APТОШИБА AD592BNADI
SPX29150T-1-8SIPEX M30873FHBGP#U3RENESAS
SIP21108DT-T1-E3VISHAY FLI8538-LF-ABПРОИСХОЖДЕНИЕ
RK7002FD5T116ROHM VS483EPAVOSSEL
2SC3709A-Y (F)ТОШИБА USB2514BSMSC
CY7C0241-25AXCCY TLP385 (D4GL-TLТОШИБА
SA605DS TL16C450FNRTI
LM4894LDNSC SDP3100Q38BLITTELFUSE
DCV010512DPBB MCM62973AFN18R2MOTOROLA
TPA2005D1DRBRG4TI APM2702CGC-TRLANPEC
LH1502BVISHAY AM29LV033C-90WDIAMD
CX82320-21CONEXANT 74VHCT245ASJXФЭЙРЧАЙЛД
9LPRS587EGLFICS XC7K160T-3FFG676EXILINX
XC1900A-03SRANAREN TK80E70NEТОШИБА
TPS77150DGKRG4TI SLRC40001TNXP
QT100A-ISGКВАНТ R3112D301C-TR-FRICOH
MAX44248ASA+TСЕНТЕНЦИЯ IS61LV12816L-10TLISSI
LTC1693-1CS8#TRPBFLT XC3S1400AN-4FG676CXILINX
LT3467ES6#TRPBFLT ВЕС MT52L768M32D3PU-107: BМИКРОН
China 16Мкс16 проходят обломок прошед параллельно параллельно 46В16М16 СДРАМ ИК интегральной схемаы - память ИК 256Мб ГДР supplier

16Мкс16 проходят обломок прошед параллельно параллельно 46В16М16 СДРАМ ИК интегральной схемаы - память ИК 256Мб ГДР

Запрос Корзина 0