CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC Chip /

МТ46В8М16ТГ-6Т ИТ: ДВОЙНАЯ СТУПЕНЬ ДАННЫХ ДДР СДРАМ ДВОИЧНОЙ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ СХЕМЫ ИСОБЛ.

контакт
CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsDoris Guo
контакт

МТ46В8М16ТГ-6Т ИТ: ДВОЙНАЯ СТУПЕНЬ ДАННЫХ ДДР СДРАМ ДВОИЧНОЙ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ СХЕМЫ ИСОБЛ.

Спросите последнюю цену
Номер модели :MT46V8M16
Место происхождения :Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Условия оплаты :T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки :8500pcs
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :Пожалуйста свяжитесь я для деталей
Описание :SDRAM - память IC 128Mbit ГДР проходит 167 MHz прошед параллельно параллельно 700 ps 66-TSOP
VDD :+2.5V ±0.2V
VDDQ :+2.5V ±0.2V
I/O :2.5V
Пакет :Пакет FBGA доступный
Часы :167 MHz
Тариф данных :333 Mb/s/p
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ДВОЙНАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ (DDR) SDRAM

ФУНКЦИИ

• Тактовая частота 167 МГц, скорость передачи данных 333 Мбит/с/п

• VDD = +2,5 В ± 0,2 В, VDDQ = +2,5 В ± 0,2 В

• Двунаправленный строб данных (DQS), передаваемый/получаемый вместе с данными, т. е. синхронный с источником захват данных (x16 имеет два — по одному на байт)

• Внутренняя конвейерная архитектура с удвоенной скоростью передачи данных (DDR);два доступа к данным за такт

• Дифференциальные тактовые входы (CK и CK#)

• Команды, вводимые по каждому положительному фронту CK

• DQS с выравниванием по краям с данными для READ;выровнен по центру с данными для WRITE

• DLL для согласования переходов DQ и DQS с CK

• Четыре внутренних банка для параллельной работы

• Маска данных (DM) для маскирования записываемых данных (у x16 их две — по одной на байт)

• Программируемая длина пакета: 2, 4 или 8

• Поддерживается параллельная автоматическая предварительная зарядка

• Режимы автоматического обновления и самообновления

• Доступен пакет FBGA

• 2,5 В/В (совместимость с SSTL_2)

• t Блокировка RAS (t RAP = t RCD)

• Обратная совместимость с DDR200 и DDR266.

ОПЦИИ НОМЕР ДЕТАЛИ

• Конфигурация

32 МБ x 4 (8 МБ x 4 x 4 банка) 32M4

16 МБ x 8 (4 МБ x 8 x 4 банка) 16M8

8 МБ x 16 (2 МБ x 16 x 4 банка) 8M16

• Пластиковая упаковка

66-контактный TSOP (OCPL) TG

60-шариковый FBGA (16x9 мм) FJ

• Время — время цикла

6 нс при CL = 2,5 (DDR333B–FBGA)1-6

6 нс при CL = 2,5 (DDR333B–TSOP)1-6T

7,5 нс при CL = 2 (DDR266A)2-75Z

• Самообновление

Стандартный нет

ПРИМЕЧАНИЕ. 1. Поддерживает модули PC2700 с синхронизацией 2,5-3-3.

2. Поддерживает модули PC2100 с синхронизацией 2-3-3.

СОВМЕСТИМОСТЬ DDR333

DDR333 соответствует или превосходит все требования синхронизации DDR266, обеспечивая тем самым полную обратную совместимость с текущими конструкциями DDR.Кроме того, эти устройства поддерживают одновременную автоматическую предварительную зарядку и блокировку t RAS для улучшения временных характеристик.Устройство DDR333 емкостью 128 МБ будет поддерживать средний интервал периодического обновления (t REFI) 15,6 мкс.

Стандартный 66-контактный пакет TSOP предлагается для двухточечных приложений, в то время как пакет FBGA предназначен для многоабонентских систем.

Техническое описание Micron 128Mb содержит полные технические характеристики и функциональные возможности, если иное не указано здесь.

РАЗМЕРЫ УПАКОВКИ FBGA 60 ШАРОВ

МАРКИРОВКА УПАКОВКИ FBGA

Из-за физических размеров упаковки FBGA полный номер детали для заказа не указан на упаковке.Вместо этого используется следующий код пакета.

Верхняя метка содержит пять полей 12345

• Поле 1 (Семейство продуктов)

ДРАМ Д

ДРАМ - ES Z

• Поле 2 (Тип продукта)

2,5 В, DDR SDRAM, 60 шариков L

• Поле 3 (Ширина)

x4 устройства Б

x8 устройств С

x16 устройств D

• Поле 4 (плотность/размер)

128Мб Ф

• Подано 5 (класс скорости)

-6 Дж

-75З П

-75 Ф

-8 С

РАЗМЕРЫ КОРПУСА 66-PIN TSOP РАЗМЕРЫ КОРПУСА 66-PIN TSOP

Запрос Корзина 0