Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 66TSOP Micron Technology Inc.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 66TSOP Micron Technology Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :МТ46В32М16П-5Б:J TR
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Испаряющий
Формат памяти :ДРАХМА
Технологии :SDRAM-DDR
Размер запоминающего устройства :512Mbit
Организация памяти :32M x 16
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :200 МГц
Напишите время цикла - слово, страницу :15ns
Время выборки :700 ps
Напряжение - питание :2,5 В ~ 2,7 В
Операционная температура :0°C ~ 70°C (TA)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :66-TSSOP (0,400", ширина 10.16mm)
Пакет изделий поставщика :66-TSOP
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Функциональное описание

DDR SDRAM использует архитектуру двойной скорости передачи данных для достижения высокоскоростной работы.Архитектура двойной скорости передачи данных по существу представляет собой архитектуру 2n-prefetch с интерфейсом, предназначенным для передачи двух слов данных в часовой цикл на пинах В/В. Единый доступ чтения или записи для DDR SDRAM фактически состоит из одной передачи данных шириной 2n бит, одного часового цикла на внутреннем ядре DRAM и двух соответствующих шириной n бит,передача данных в получасовом цикле на пинах В/В.

Особенности

• VDD = +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• VDD = +2,6V ±0,1V, VDDQ = +2,6V ±0,1V (DDR400)
• Двунаправленная передача данных (DQS)
полученные с данными, т.е. данными, синхронными с источником
захват (x16 имеет два ¢ один на байт)
• Внутренняя двойная скорость передачи данных (DDR)
архитектура; два доступа к данным на один часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• DQS, выровненный на краю с данными для READ; централизованный с данными для WRITE
• DLL для согласования переходов DQ и DQS с CK
• Четыре внутренних банка для одновременной работы
• Маска данных (DM) для маскировки записываемых данных
(x16 имеет два ¢ один на байт)
• Программируемые длины взрывов: 2, 4 или 8
• Автоматическое обновление
¢ 64 мс, 8192 цикла (коммерческий и промышленный)
16ms, 8192 цикла (автомобильные)
• Самообновление (недоступно на AT-устройствах)
• Удлинение срока действия ОПС для повышения надежности (OCPL)
• 2,5 В В/В (совместимая с SSTL_2)
• Поддерживается возможность автоматической предварительной зарядки
• поддержка блокировки tRAS (tRAP = tRCD)

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR)
Пакетный чехол 66-TSSOP (0,400", ширина 10,16 мм)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 2.5 V ~ 2.7 V
Пакет изделий поставщика 66-TSOP
Способность памяти 512M (32M x 16)
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость 5 нс
Формат-память ОЗУ

Описания

SDRAM - память DDR IC 512Mb (32M x 16) Параллельно 200MHz 700ps 66-TSOP
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2,6V 66-контактный ТСОП T/R
Запрос Корзина 0