сдрам пк2100 ГДР

ГДР SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA Изготовитель Samsung MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA Часть #C500275 JLCPCB PackageFBGA-96 Des...

1-1473005-1 TE Connectivity AMP Connectors 1473005 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRAM Подробности : 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRA.........

MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - 1 ГБ DDR SDRAM Найти информацию здесь в stock.xlsx Введение: MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - это модуль DDR SDRAM емкостью 1 ГБ,........

...

ДВОЙНАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ (DDR) SDRAM ФУНКЦИИ • Тактовая частота 167 МГц, скорость передачи данных 333 Мбит/с/п • VDD = +2,5.........

Технические данные продукта ЕС RoHS Уступчивый ECCN (США) EAR99 Состояние части Устарелый Автомобильный......

ДРАХМА PC2100 009-0022375 0090022375 NCR DIMM 512M 64MX64 ГДР запасных частей машины ATM банка Спецификации 1. Хорошее качество2. Ко.........

Части банкомата NCR DIMM 512M 64MX64 DDR DRAM PC2100 009-0022375 Подробная информация о продукте Номер части 009-0022375 Бре......

Перечисление продукта:MT41K256M16TW-107 AIT: Обломоки флэш-памяти p Параметры: - Емкость: 256Mb - Организация: 16M x 16 - Тип: SDRAM - Плотность: 4Gb.......

Память IC Samsung K4A4G165WF-BCTD FBGA-96 ГДР SDRAM Память IC интегральная схемаа которая конструирована для того чтобы накапливать данные и запрогра.......

МТ46В16М16П-5Б: К ТР 46В16М16 СДРАМ - параллель 200МХз 700пс 66-ТСОП ИК 256Мб памяти ГДР (16М кс 16) Список других электронных блоков в запасе ТЛЭ6250......

Циркуляр частей BIS10PLN0314F авиации стандартный контактирует материал медного сплава Описания частей авиации: Линейный регулятор LP2998 конструирова......

SDRAM - память IC MT46V16M16P-5B ГДР: Параллель m 256Mbit 200 MHz 700 обломок Ps 66-TSOP электронный IC ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали MT46V16M.........

Применение: Пакет FCBGA, пакет FCCSP, субстрат памяти NandFlash, полупакет, полупроводники, полупроводники, пакет IC, субстрат IC, uMCP, MCP, UFS, CMO......

мы также имеем много других деталей ИК в запасе, пльс добросердечно проверяем его: СДРАМ- ПК100 СД 8Мкс16-10 ФБГА неэтилированное ЭДС1216ГАБХ-10-Э Элп......

Подробная информация о продукции Функциональное описаниеDDR SDRAM использует архитектуру двойной скорости передачи данных для достижения выс.........

Поколения Х9ХКНННБПУМЛХР НМО 4 низкой мощности удваивают оперативное запоминающее устройство тарифа данных одновременное динамическое .........

2.0mm HDI PCBs для Interposer гнезда LPDDR3 штабелируют вверх золото погружения 4-2-4 Требование для более высоких тарифов данных и более бо.........