QPD1035 Модуль беспроводной связи 40 Вт 50 Вт 6 ГГц GaN RF Power Transistor [Преимущество MJD] + 15 лет опыта работы с электронными компонентами +.........
Add to Cart
Транзистор силы HMC199MS8ETR RF для высоких увеличения и эффективности Транзисторы силы HMC199MS8ETR RF Характер продукции: HMC199MS8ET.........
Add to Cart
Транзистор GaN силы транзистора силы A3G20S250-01SR3 Mosfet Airfast RF, 1800-2200 MHz, 45 w Avg., 48 v этот транзистор GaN силы 45 w RF конструирован ......
Add to Cart
...
Add to Cart
Autel Anti Fpv C-Uas Mavic 3 5.8GHz 100W GaN Антимодуль с предполагаемым сроком поставки Ключевое слово Место происхождения Гуандун, Китай На.........
Add to Cart
Кремниевый транзистор 175MHz 6W POWER MOSFET RD06HVF1 RF для применений усилителей Описание RD06HVF1 RD06HVF1 — это полевой МОП-транзистор, специально ......
Add to Cart
D2085UK 28V120W 1МГц-1000МГц толчок-вытяжка МОСФЕТ Производитель: TT Electronics Категория продукции: TT Electronics Марка: Семелаб / Т.........
Add to Cart
MOSFETS транзистора силы PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF PD85035-E N-канал общедоступного источника, сила RF пол-влияния повышени-режима боковая.......
Add to Cart
Держатель поверхности транзистора НПН 15В 18мА 9ГХз 150мВ РФ транзисторов БФС505 НПН ПНП НПН транзистор видебанд 9 ГХз ОСОБЕННОСТИ • Низкоточное потре......
Add to Cart
BFS505 NPN PNP Транзисторы РЧ Транзистор NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Поверхностный монтаж NPN 9 ГГц широкополосный транзистор СТРАНИЦЫ • Низкое потреб.........
Add to Cart
АОД442/АОИ442 МОСФЭТ Н-канала 60В Общее описание Используемая АОД442/АОИ442 выдвинутая технология канавы к обеспечьте превосходный р ДС (.........
Add to Cart
N/A интегральные схемаы SD1480 микроконтроллера IC MCU электронных блоков SD1480 Спецификация деталь значение.........
Add to Cart
Компания Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.Добро пожаловать в нашу компанию! Мы являемся вашим универсальным поставщиком электронных компонен.......
Add to Cart
Фрестандинг субстрат ГаН, тип н, Полу-изолируя для Рф, приведенной силы, и Лд Фрестандинг субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН установило технологию изгото.........
Add to Cart
Описание Введение 100 Вт830-940 гг.Модуль RF GAN против беспилотных летательных аппаратов Защита вашего воздушного пространства никогда не была проще.......
Add to Cart