тип :MOSFET, Транзистор с эффектом поля, IC чипы
Операционная температура :Стандартный
Тип установки :Стандартный
Описание :Транзисторы
Номер модели :2SK4115
Место происхождения :Гуандун, Китай
D/C :Стандартный
Тип упаковки :Повсеместно в отверстие
Применение :Общее назначение
Тип поставщика :Первоначальный изготовитель, ODM, агенство, розничный торговец, другое
Средства массовой информации доступные :схема данных, фото, EDA/CAD моделирует, другое
Бренд :Транзистор MOSFET
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) :Стандартный
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) :Стандартный
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic :Стандартный
Настоящий - выключение сборника (Макс) :Стандартный
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce :Стандартный
Сила - Макс :Стандартный
Частота - переход :Стандартный
Пакет / чемодан :2SK4115
Резистор - основание (R1) :Стандартный
Резистор - основание излучателя (R2) :Стандартный
Особенность FET :Стандартный
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :Стандартный
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C :Стандартный
Rds на (Макс) @ id, Vgs :Стандартный
Id Vgs (th) (Макс) @ :Стандартный
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs :Стандартный
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds :Стандартный
Частота :Стандартный
Настоящая оценка (Amps) :Стандартный
Диаграмма шума :Стандартный
Сила - выход :Стандартный
Расклассифицированное напряжение тока - :Стандартный
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) :Стандартный
Vgs (Макс) :Стандартный
Тип IGBT :Стандартный
Конфигурация :Стандартный
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce :Стандартный
Ввод :Стандартный
Термистор NTC :Стандартный
Напряжение тока - нервное расстройство (v (BR) GSS) :Стандартный
Потребление тока (Idss) @ Vds (Vgs=0) :Стандартный
Потребление тока (id) - Макс :Стандартный
Напряжение тока - id выключения (VGS) @ :Стандартный
Сопротивление - RDS (дальше) :Стандартный
Напряжение :Стандартный
Напряжение тока - выход :Стандартный
Напряжение тока - смещение (Vt) :Стандартный
Настоящий - ворота к утечке анода (Igao) :Стандартный
Настоящий - долина (iv) :Стандартный
Настоящий - пик :Стандартный
Заявления :Стандартный
Тип транзистора :Транзистор мощности mrf150 rf
Подробная информация об упаковке :Вьюрок или трубка
Порт :Шэньчжэнь
Способность к поставкам :10000 часть/частей в День
Минимальное количество заказа :10 штук
more
