XIAMEN POWERWAY ВЫДВИНУЛ МАТЕРИАЛЬНОЕ CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
Фрестандинг субстрат ГаН, тип н, Полу-изолируя для Рф, приведенной силы, и Лд
Фрестандинг субстрат ГаН
ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которое для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.
Спецификация Фрестандинг субстрата ГаН
Здесь показывает детальную спецификацию:
субстрат ГаН 2 ″ (50.8мм) свободно стоящий (нитрид галлия)
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН50-Н | ПАМ-ФС-ГаН50-СИ |
| Тип кондукции | Н типа | Полу-изолировать |
| Размер | ″ 2 (50,8) +/-1мм | |
| Толщина | 330-450ум | |
| Ориентация | К-ось (0001) +/-0.5° | |
| Основное плоское положение | (1-100) +/-0.5° | |
| Основная плоская длина | 16+/-1мм | |
| Вторичное плоское положение | (11-20) +/-3° | |
| Вторичная плоская длина | 8+/-1мм | |
| Резистивность (300К) | <0> | >106Ω·см |
| Плотность дислокации | <5x106cm-2> | |
| Плотность дефекта Марко | Граде2км-2<> | |
| ТТВ | <> | |
| СМЫЧОК | <> | |
| Поверхностный финиш | Лицевая поверхность: Ра<0> | |
| Задняя поверхность: земля 1.Фине | ||
| гриндед 2.Роугх | ||
| Годная к употреблению область | ≥ 90% | |
субстрат ГаН 1,5 ″ (38.1мм) свободно стоящий
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН38-Н | ПАМ-ФС-ГаН38-СИ | |
| Тип кондукции | Н типа | Полу-изолировать | |
| Размер | ″ 1,5 (38,1) +/-0.5мм | ||
| Толщина | 330-450ум | ||
| Ориентация | К-ось (0001) +/-0.5о | ||
| Основное плоское положение | (1-100) +/-0.5о | ||
| Основная плоская длина | 12+/-1мм | ||
| Вторичное плоское положение | (11-20) +/-3о | ||
| Вторичная плоская длина | 6+/-1мм | ||
| Резистивность (300К) | <0> | >106Ω·см | |
| Плотность дислокации | <5x106cm-2> | ||
| Плотность дефекта Марко | Граде2км-2<> | ||
| ТТВ | <> | ||
| СМЫЧОК | <> | ||
| Поверхностный финиш | Лицевая поверхность: Ра<0> | ||
|
Задняя поверхность: земля 1.Фине гриндед 2.Роугх |
|||
| Годная к употреблению область | ≥ 90% | ||
15мм, 10мм, субстрат 5мм свободно стоящий ГаН
| Деталь |
ПАМ-ФС-ГаН15-Н ПАМ-ФС-ГаН10-Н ПАМ-ФС-ГаН5-Н |
ПАМ-ФС-ГаН15-СИ ПАМ-ФС-ГаН10-СИ ПАМ-ФС-ГаН5-СИ |
|
| Тип кондукции | Н типа | Полу-изолировать | |
| Размер | 14.0мм*15мм 10.0мм*10.5мм 5.0*5.5мм | ||
| Толщина | 330-450ум | ||
| Ориентация | К-ось (0001) +/-0.5о | ||
| Основное плоское положение | |||
| Основная плоская длина | |||
| Вторичное плоское положение | |||
| Вторичная плоская длина | |||
| Резистивность (300К) | <0> | >106Ω·см | |
| Плотность дислокации | <5x106cm-2> | ||
| Плотность дефекта Марко | 0км-2 | ||
| ТТВ | <> | ||
| СМЫЧОК | <> | ||
| Поверхностный финиш | Лицевая поверхность: Ра<0> | ||
| Задняя поверхность: земля 1.Фине | |||
| гриндед 2.Роугх | |||
| Годная к употреблению область | ≥ 90% | ||
Примечание:
Вафля утверждения: Рассмотрение удобства использования, вафля утверждения сапфира ″ предложения 2 ПАМ-СИАМЭН для под субстрата ГаН размера 2 ″ Фрестандинг
Применение субстрата ГаН
Полупроводниковое освещение: Приборы ГаН использованы как диоды ультра высокой яркости светоизлучающие (СИД), ТВ, автомобили, и общее освещение
Хранение ДВД: Голубые лазерные диоды
Прибор силы: Приборы ГаН использованы как различные компоненты в высокомощной и высокочастотной производительности электроники как клетчатые базовые станции, спутники, усилители силы, и инверторы/конвертеры для электротранспортов (EV) и гибридных электротранспортов (HEV). Чувствительность ГаН низкая к ионизирующему излучению (как другие нитриды группы ИИИ) делает им соответствующий материал для бортовых применений как массивы фотоэлемента для спутников и высокомощных, высокочастотных приборов для сообщения, погоды, и спутников наблюдения
Идеал для ре-роста ИИИ-нитридов
Беспроводные базовые станции: Транзисторы силы РФ
Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотное ММИКс, РФ-цепи ММИКс
Датчики давления: МЭМС
Тепловые датчики: Пыро-электрические детекторы
Подготовлять силы: Интеграция смешанного сигнала ГаН/Си
Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника
Линии передачи энергии: Высоковольтная электроника
Датчики рамки: УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЕ детекторы
Фотоэлементы: Зазор диапазона ГаН широкий покрывает солнечный спектр от 0,65 еВ к еВ 3,4 (которое практически весь солнечный спектр), делая нитрид галлия индия
(ИнГаН) сплавляет идеальное для создания материала фотоэлемента. Вследствие этого преимущество, фотоэлементы ИнГаН, который выросли на субстратах ГаН балансировано для того чтобы стать одним из самых важных новых применений и рынка роста для вафель субстрата ГаН.
Идеал для ХЭМЦ, ФЭЦ