Фрестандинг тип н субстрата ГаН или полу- изолировать для Рф, приведенной силы, и Лд

Фрестандинг субстрат ГаН, тип н, Полу-изолируя для Рф, приведенной силы, и Лд

Фрестандинг субстрат ГаН

ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия)   вафли субстрата   ГаН которое для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.

Спецификация Фрестандинг субстрата ГаН

Здесь показывает детальную спецификацию:

субстрат ГаН 2 ″ (50.8мм) свободно стоящий (нитрид галлия)

субстрат ГаН 1,5 ″ (38.1мм) свободно стоящий

15мм, 10мм, субстрат 5мм свободно стоящий ГаН

Примечание:

Вафля утверждения: Рассмотрение удобства использования, вафля утверждения сапфира ″ предложения 2 ПАМ-СИАМЭН для под субстрата ГаН размера 2 ″ Фрестандинг

Применение субстрата ГаН

Полупроводниковое освещение: Приборы ГаН использованы как диоды ультра высокой яркости светоизлучающие (СИД), ТВ, автомобили, и общее освещение

Хранение ДВД: Голубые лазерные диоды

Прибор силы: Приборы ГаН использованы как различные компоненты в высокомощной и высокочастотной производительности электроники как клетчатые базовые станции, спутники, усилители силы, и инверторы/конвертеры для электротранспортов (EV) и гибридных электротранспортов (HEV). Чувствительность ГаН низкая к ионизирующему излучению (как другие нитриды группы ИИИ) делает им соответствующий материал для бортовых применений как массивы фотоэлемента для спутников и высокомощных, высокочастотных приборов для сообщения, погоды, и спутников наблюдения

Идеал для ре-роста ИИИ-нитридов

Беспроводные базовые станции: Транзисторы силы РФ

Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотное ММИКс, РФ-цепи ММИКс

Датчики давления: МЭМС

Тепловые датчики: Пыро-электрические детекторы

Подготовлять силы: Интеграция смешанного сигнала ГаН/Си

Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника

Линии передачи энергии: Высоковольтная электроника

Датчики рамки: УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЕ детекторы

Фотоэлементы: Зазор диапазона ГаН широкий покрывает солнечный спектр от 0,65 еВ к еВ 3,4 (которое практически весь солнечный спектр), делая нитрид галлия индия

(ИнГаН) сплавляет идеальное для создания материала фотоэлемента. Вследствие этого преимущество, фотоэлементы ИнГаН, который выросли на субстратах ГаН балансировано для того чтобы стать одним из самых важных новых применений и рынка роста для вафель субстрата ГаН.

Идеал для ХЭМЦ, ФЭЦ

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.