Транзистор силы БФС505 15В РФ, транзистор держателя поверхности 18мА 9ГХз 150мВ
Номер модели:BFS505
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:3000 ПК
Термины компенсации:Т/Т, западное соединение, ЭСКРОВ
Способность поставкы:60000PCS
Срок поставки:Фондовой
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
УДАЧА RM 311 3/F LINZHAN СТРОЯ ЗОНУ ШЭНЬЧЖЭНЬ ДОРОГИ LIUYUE LONGGANG УЛИЦЫ SHENFENG No.1 SHENHUA, КИТАЙ
последний раз поставщика входа:
в рамках 41 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Держатель поверхности транзистора НПН 15В 18мА 9ГХз 150мВ РФ транзисторов БФС505 НПН ПНП
НПН транзистор видебанд 9 ГХз
ОСОБЕННОСТИ
• Низкоточное потребление
• Увеличение наивысшей мощности
• Малошумная диаграмма
• Высокая частота перехода
• Металлизирование золота обеспечивает
превосходная надежность
• Конверт СОТ323.
ОПИСАНИЕ
Транзистор НПН в пластмассе СОТ323
конверт.
Запланировано для усилителей низкой мощности,
генераторы и смесители особенно внутри
Связь портативной машинки РФ
оборудование (мобильные телефоны, бесшнуровые
телефоны, пейджеры) до 2 ГХз.
| Атрибуты продукта | Выберите все |
| Категории | Дискретные продукты полупроводника |
| Транзисторы - двухполярные (БДЖТ) - РФ | |
| Изготовитель | НСП США Инк. |
| Серия | - |
| Упаковка | Лента & вьюрок (TR) |
| Состояние части | Устарелый |
| Тип транзистора | НПН |
| Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) | 15В |
| Частота - переход | 9ГХз |
| Диаграмма шума (тип @ ф дБ) | 1.2дБ | 2.1дБ @ 900МХз |
| Увеличение | - |
| Сила - Макс | 150мВ |
| Увеличение ДК настоящее (хФЭ) (минута) @ Ик, Все | 60 @ 5мА, 6В |
| Настоящий - сборник (Ик) (Макс) | 18мА |
| Рабочая температура | 175°К (ТДЖ) |
| Тип установки | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | СК-70, СОТ-323 |
| Пакет прибора поставщика | СОТ-323-3 |
Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-0755-82539981
Транзистор силы БФС505 15В РФ, транзистор держателя поверхности 18мА 9ГХз 150мВ
Запрос Корзина
0