продукты Поставщики Sign in Register

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

VBE TECHNOLOGY SHENZHEN CO., LTD Leading Intelligent RF Security Solutions Provider

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
8 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / RF Power Transistor /

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

Категории продукта

Сотовый телефон сигнала Jammer

 [47]

jammer сигнала wifi

 [22]

Handheld Jammer сигнала

 [47]

Джаммерс бомбы обоза

 [23]

jammers телефона тюремной камеры

 [14]

Jammer сигнала наивысшей мощности

 [15]

портативный jammer сигнала

 [17]

jammer сигнала gps

 [17]

анти- джаммерс трутня

 [33]

Детекторы дронов

 [14]

Перехват мобильного телефона

 [6]

Модуль усилителя силы РФ

 [25]

Сотовый телефон сигнал повторителя

 [11]

передвижная ракета -носитель сигнала

 [12]

детектор сигнала рф

 [5]

RF Мощность транзистор

 [10]

Компоненты RF пассивные

 [6]

Антенны RF

 [5]
контакт
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrCharms Zhao
контактная информация
контакт
China ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным wholesale
  • China ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным wholesale

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным
Спросите последнюю цену
Номер модели :ВБЭ6006Х
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1шт
Способность поставкы :10k
Срок поставки :5-8 рабочих дней
Упаковывая детали :нейтральная упаковка
Условие :Совершенно новый и оригинальный
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

ДК к транзисторам ГаН наивысшей мощности нитрида 28В галлия транзистора силы 4ГХз 60В РФ широкополосным

 

 

 

Метки товара:

rf power mosfet transistors

rf mosfet power transistor

power rf mosfet
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4