
Add to Cart
Транзистор 175MHz 6W кремния MOSFET СИЛЫ RD06HVF1 RF для применений усилителей
Описание RD06HVF1
RD06HVF1 тип транзистор FET MOS специфически конструированный для применений усилителей силы VHF RF
ОСОБЕННОСТИ RD06HVF1
Увеличение наивысшей мощности: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V, f=175MHz
ПРИМЕНЕНИЕ RD06HVF1
Для этапа выхода усилителей наивысшей мощности в радиоприемниках диапазона VHF мобильных.
Список других электронных блоков в запасе | ||||
НОМЕР ДЕТАЛИ | MFG/BRAND | НОМЕР ДЕТАЛИ | MFG/BRAND | |
LM185BYH | NSC | DS2109S/TR | ДАЛЛАС | |
GM5ZR05240A | ДИЕЗ | MT58L64L36FT-8.5IT: | МИКРОН | |
MSP4410G-QA-C13 | МИКРОСХЕМА | LM29150-2.5 | HTC | |
ICS341MI-18LFT | IDT | XCF02SVOG20C | XILINX | |
F59L1G81A-25TG | ESMT | SGN5210Q1DBC | SIGNIA | |
ADG202AKRZ-REEL7 | ADI | EPCS128SI16N | ALTERA | |
74LV04PW | NXP | AA8600AP | AGAMEM | |
TLP560G | ТОШИБА | STI5514AWDL | ST | |
PPM10445089HS 47P4174 | IBM | STB24NM65N | ST | |
MT29F128G08CBCABL85A3WC1 | МИКРОН | AO4840L | AOS | |
MP2104DQT-LF-Z | MPS | AD8418BRMZ | ADI | |
8,2 UH | МЫ | VLS252012T-4R7MR81 | TDK | |
XC6SLX9-2FTG256I | XILINX | SN74AHC138PWR | TI | |
NJM2716FV | JRC | LP3966ESX-ADJ | NS | |
MAC-42MH+ | МИНИ | 2SB1694T106 | ROHM | |
FLI8541H-LF-BE | ПРОИСХОЖДЕНИЕ | TK20J60U (S1TEAL | ТОШИБА | |
ADT7411ARQZ | ADI | MAX759CWE | СЕНТЕНЦИЯ | |
QCN-19D+ | МИНИ | AM79C975BVC/W | AMD | |
IT8512E-JXS | ITE | ZR36750BGCG-V | ZORAN | |
SE757MRH-LF | SAMSUNG | SST37VF010-70-3C-WHE | SST |