сдрам 1гб ГДР

MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - 1 ГБ DDR SDRAM Найти информацию здесь в stock.xlsx Введение: MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - это модуль DDR SDRAM емкостью 1 ГБ,........

ГДР SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA Изготовитель Samsung MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA Часть #C500275 JLCPCB PackageFBGA-96 Des...

1-1473005-1 TE Connectivity AMP Connectors 1473005 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRAM Подробности : 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRA.........

...

ДВОЙНАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ (DDR) SDRAM ФУНКЦИИ • Тактовая частота 167 МГц, скорость передачи данных 333 Мбит/с/п • VDD = +2,5.........

Технические данные продукта ЕС RoHS Уступчивый ECCN (США) EAR99 Состояние части Устарелый Автомобильный......

Этот продукт соответствующий для: Пунктов продажи Benz Мерседес умный 2015 2016 2017 горячих: 1. система деятельности поддержки: Система андроида 8,0. ......

MT47H64M16NF-25E: ДРАХМА DDR2 1G 64MX16 FBGA микросхемы памяти m новая импортированная FBGA-84 1Gb DDR2 SDRAM Атрибут продукта.........

Перечисление продукта:MT41K256M16TW-107 AIT: Обломоки флэш-памяти p Параметры: - Емкость: 256Mb - Организация: 16M x 16 - Тип: SDRAM - Плотность: 4Gb.......

C.P.U. CortexTM A7 андроида 5,0 ПК планшета детей SSD 16GB 1024*600 ГДР 1GB C.P.U. CortexTM A7 ssd штосселя 16GB ГДР 1GB андроида 5,0 дюйма 1024*.........

Память IC Samsung K4A4G165WF-BCTD FBGA-96 ГДР SDRAM Память IC интегральная схемаа которая конструирована для того чтобы накапливать данные и запрогра.......

ГЭ 1ГБ СДРАМ 7304-НПЭ-Г100 1000Басе - т использовал маршрутизатор сети оборудования Сиско Спецификации Маршрутизатор 7304-НПЭ-Г100 сети Сиско Сетевой ......

МТ46В16М16П-5Б: К ТР 46В16М16 СДРАМ - параллель 200МХз 700пс 66-ТСОП ИК 256Мб памяти ГДР (16М кс 16) Список других электронных блоков в запасе ТЛЭ6250......

Циркуляр частей BIS10PLN0314F авиации стандартный контактирует материал медного сплава Описания частей авиации: Линейный регулятор LP2998 конструирова......

SDRAM - память IC MT46V16M16P-5B ГДР: Параллель m 256Mbit 200 MHz 700 обломок Ps 66-TSOP электронный IC ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали MT46V16M.........

Применение: Пакет FCBGA, пакет FCCSP, субстрат памяти NandFlash, полупакет, полупроводники, полупроводники, пакет IC, субстрат IC, uMCP, MCP, UFS, CMO......

Ядр квадрацикла Видо 7инч 10 пунктов андроида 4,1 ядра 1.2ГХз квадрацикла коркы А9 действий АТМ7029 ПК андроида вспышки 16Г 1Г ГДР экрана ИПС (1280к......