поверхностный транзистор держателя

Транзистор MMBT3906 SOT-23 держателя поверхности транзистора PNP кремния SMD Транзистор держателя MMBT3906 SOT-23 PNP поверхностный MMBT3906 SOT-23 ......

MMBT3904 NPN МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТРАНЗИСТОР Особенности • Эпитаксиальная плоская конструкция • Доступен дополнительный PNP-тип (M.........

ICs откалывают IAUT260N10S5N019 транзисторы держателя N-канала 100V 260A 300W поверхностные Характер продукции IAUT260N10S5N019 IAUT260N10S5N01.........

Держатель поверхности транзистора НПН 15В 18мА 9ГХз 150мВ РФ транзисторов БФС505 НПН ПНП НПН транзистор видебанд 9 ГХз ОСОБЕННОСТИ • Низкоточное потре......

MMDT4401 Транзистор с двойной установкой на небольшой поверхности сигнала Особенности 1- Эпитаксиальная плоская конструкция 2. Идеально подходит.........

MMBT3904 ТРАНЗИСТОР ДЕРЖАТЕЛЯ НЕБОЛЬШОГО СИГНАЛА NPN ПОВЕРХНОСТНЫЙ Особенности • Эпитаксиальные плоскостные умирают конструкция? • Комплем.........

Транзистор силы HMC326MS8GETR RF - линеарность наивысшей мощности высокая HMC326MS8GETR, pHEMT GaAs, транзистор силы RF Характер продукции:.........

Первоначальные новые диоды SOT-23 Mosfet транзистора (SOT-23-3) LN2302BLT1G Продукты Описание: 1. исключительное на-сопротивление и максимальная воз........

ДВУХПОЛЯРНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ БЛОКИ ТРАНЗИСТОРА BCX53 ОТДЕЛЫВАЮТ ПОВЕРХНОСТЬ ДЕРЖАТЕЛЬ, ПОЛОЖЕНИЕ Тип пакета: Поверхностный держатель, сто.........

CNAMPFORT одноразовые 1206 (3216 метрических) высоковольтные поверхностные крепежные керамические предохранители 3.5A 5A 250V для защиты от перенапряж......

Держатель РоХС поверхности Н-канала 55В 17А 45В ИРФР024НТРПБФ Д-ПАК уступчивоеОсобенностьл ультра низкое На-сопротивлениел держатель поверхности (ИРФР......

Характер продукцииДеталь продукта Состояние частиУстарелый Тип транзистораNPN Настоящий - сборник (Ic) (Макс)800mA Напряжение тока - нервное расстрой.......

1N4148W-7-F Диоды 300 мА (постоянный ток) Стандартный поверхностный монтаж -65°C ~ 150°C SOD-123 рейтинг выше температура от -40°C до +105°C &nb.........

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики Описание транзистора канала н Технология 18Н20С выдвинут......

Тип пересылка пакета самого нового бренда D/c номера модели PXT8050 транзистора транзистора силы PXT8050 Mosfet (NPN) SOT-89-3L SMD первоначальный быт......

DMN5L06DWK7 канала канала 2 MOSFET транзисторы smd kdk сигнала двойного n небольшие отделывают поверхность транзисторы режима Особенности MOSFET.........

Транзистор Пол-влияния режима повышения N-канала NX7002AK NEXPERIA (FET) в небольшом SOT23 (TO-236AB) Поверхност-установил dТехнические данные продукт......

IXGA20N250HV IGBT 2500 v 30 держатель TO-263HV a 150 w поверхностныйIXYS IXGA20N250HV высоковольтное IGBTIXYS IXGA20N250HV высоковольтное IGBT (изол........