Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

Описание транзистора канала н

Технология 18Н20С выдвинутая пользами плоская
предусмотреть превосходный Рдс (дальше), низкие обязанность ворот и деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 2.5В. Этот прибор соответствующий для пользы как предохранение от батареи или в другом применении переключения.
Общие особенности
Вдс = ид 200В = 18А
Рдс (дальше) < 120mQ="">
Маркировка и упорядочение информации пакета

ИД продукта	Пакет	Отмечать	Кты (ПКС)
18Н20П	ТО-220	18Н20П ССС ИИИИ	1000
18Н20Ф	ТО-263	18Н20Ф ССС ИИИИ	1000

Абсолютный максимум оценок Тк=25°К если не указано иное

МОСФЭТ режима повышения Н-канала 200В

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

Тест ИМПа ульс: Ширина ИМПа ульс < 300="">

План пакета ТО-252

РАЗМЕРЫ (блок: мм)

Символ	Минута	Тип	Макс	Символ	Минута	Тип	Макс
А	2,22	2,30	2,38	А1	0,46	0,58	0,93
б	0,71	0,79	0,89	б1	0,90	0,98	1,10
б2	5,00	5,30	5,46	к	0,20	0,40	0,56
Д1	5,98	6,05	6,22	Д2	--	4,00	--
Э	6,47	6,60	6,73	Э1	5,10	5,28	5,45
е	--	2,28	--	е1	--	4,57	--
Хд	9,60	10,08	10,40	Л	2,75	2,95	3,05
Л1	--	0,50	--	Л2	0,80	0,90	1,10
в	--	0,20	--	ы	0,20	--	--

Данные по пакета ТО-220-3Л

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
Символ	Минимальный.	Макс.	Минимальный.	Макс.
А	4,400	4,600	0,173	0,181
А1	2,250	2,550	0,089	0,100
б	0,710	0,910	0,028	0,036
б1	1,170	1,370	0,046	0,054
к	0,330	0,650	0,013	0,026
кл	1,200	1,400	0,047	0,055
Д	9,910	10,250	0,390	0,404
Э	8,9500	9,750	0,352	0,384
Э1	12,650	12,950	0,498	0,510
е	2,540 ТИП.		0,100 ТИПА.
ел	4,980	5,180	0,196	0,204
Ф	2,650	2,950	0,104	0,116
Х	7,900	8,100	0,311	0,319
х	0,000	0,300	0,000	0,012
Л	12,900	13,400	0,508	0,528
Л1	2,850	3,250	0,112	0,128
В	7,500 РЭФ.		0,295 РЭФ.
①	3,400	3,800	0,134	0,150

Данные по пакета О-263-2Л

СИМВОЛ	ИНК	ХИЭС	МИЛЛИМ	ЭТЭРС	НОТИЭС
СИМВОЛ	МИНУТА	МАКС	МИНИ	МАКС	НОТИЭС
А	0,170	0,180	4,32	4,57
А1	-	0,010	-	0,25
б	0,028	0,037	0,71	0,94
б2	0,045	0,055	1,15	1,40
к	0,018	0,024	0,46	0,61
к2	0,04\|8	0,055	1,22	1,40
Д	0,350	0,370	8,89	9,40
Д1И	0,315	0,324	8,01	8,23
Э	0,395	0,405	10,04	10,28
Э1	0,310	0,318	7,88	8,08
е	0,100	БСК.	2,54	БСК.
Л	0,580	0,620	14,73	15,75
Л1И	0,090	0,110	2,29	2,79
Л2	0,045	0,055	1,15	1,39
Л3	0,050	0,070	1,27	1,77
Б	0°	8°	кр	8°

Метки товара:

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

Транзистор силы Mosfet

Транзисторы силы подсказки

Транзистор силы кремния

Двойной переключая диод

Транзистор влияния поля Mos

Удваивает - Mosfet канала

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

Стабилитрон силы

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

Высоковольтный диод выпрямителя тока

Триод полупроводника

Стабилизатор IC напряжения тока

Пакет держателя поверхности переключателя транзистора канала н режима повышения/Мосфет логики

sti front mount intercooler kit

surface mount transistor packages

raised panel router bit set