продукты Поставщики Sign in Register

Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Intergrate multi-products, full stages service, High quality control , Customer requirement fullfillment

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Electronic Diodes And Transistors /

FET SOT23 TO-236AB d транзистора влияния поля NX7002AK NEXPERIA установленный поверхностью

Категории продукта

Электронный блок Кристл

 [140]

Электронные диоды и транзисторы

 [54]

Блок MCU микроконтроллера

 [68]

Хранение данных флэш-памяти

 [40]

Соединитель доски PCB

 [42]

Интегральная схемаа SMD

 [336]

Модуль цифров электронный

 [12]

MOSFET наивысшей мощности

 [3000]

СИД оптической электроники

 [42]

Пассивные электронные блоки

 [42]

Цепь FPC гибкая напечатанная

 [12]

Обслуживание собрания PCB

 [4]

Электронное табло цифров

 [12]

Реле силы сигнала

 [26]

Глубокий переключатель SMD

 [50]

Инструменты разработчика

 [12]

Кабельная проводка UL

 [4]

Датчики электронного блока

 [42]

Собрания кольца выскальзывания

 [26]
контакт
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrLarry Fan
контактная информация
контакт
China FET SOT23 TO-236AB d транзистора влияния поля NX7002AK NEXPERIA установленный поверхностью wholesale
  • China FET SOT23 TO-236AB d транзистора влияния поля NX7002AK NEXPERIA установленный поверхностью wholesale

FET SOT23 TO-236AB d транзистора влияния поля NX7002AK NEXPERIA установленный поверхностью
Спросите последнюю цену
Номер модели :NX7002AK
Место происхождения :КИТАЙ
Количество минимального заказа :Qty пакета
Упаковывая детали :лента и вьюрок
Срок поставки :2 недели
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :1000+
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Транзистор Пол-влияния режима повышения N-канала NX7002AK NEXPERIA (FET) в небольшом SOT23 (TO-236AB) Поверхност-установил d

Технические данные продукта

ЕС RoHS Уступчивый
ECCN (США) EAR99
Состояние части Активный
SVHC Да
Автомобильный Никакой
PPAP Никакой
Категория продукта Небольшой сигнал
Конфигурация Одиночный
Технологический прочесс TMOS
Режим канала Повышение
Тип канала N
Количество элементов в обломок 1
Максимальное напряжение тока источника стока (v) 60
Максимальное напряжение тока источника ворот (v) 20
Максимальное напряжение тока порога ворот (v) 2,1
Максимальное непрерывное течение стока (a) 0,19
Максимальное течение утечки источника ворот (nA) 2000
Максимальное IDSS (uA) 1
Максимальное сопротивление источника стока (MOhm) 4500@10V
Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC) 0.33@4.5V
Типичная входная емкость @ Vds (pF) 15@10V
Максимальная диссипация силы (mW) 325
Типичное время падения (ns) 5
Типичное время восхода (ns) 7
Типичное время задержки поворота- (ns) 11
Типичное время задержки включения (ns) 6
Минимальная рабочая температура (°C) -55
Максимальная рабочая температура (°C) 150
Упаковка Лента и вьюрок
Пакет поставщика SOT-23
Отсчет Pin 3
Имя стандартного пакета SOT
Установка Поверхностный держатель
Высота пакета 1 (Макс)
Длина пакета 3 (Макс)
Ширина пакета 1,4 (Макс)
PCB изменил 3
Форма руководства Крыло чайки
Метки товара:

mos field effect transistor

3 phase bldc

surface mount diode identification
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4