Walton Electronics Co., Ltd.
CO. электроники Шэньчжэня Walton, Ltd.
Add to Cart
DMN5L06DWK7 канала канала 2 MOSFET транзисторы smd kdk сигнала двойного n небольшие отделывают поверхность транзисторы режима
Особенности
MOSFET N-канала двойной
На-сопротивление низкое (1.0V Макс)
напряжение тока порога ворот очень низкое
входная емкость низкая
скорость быстрая переключая
утечка вход-выхода низкая
пакет держателя Ультра-небольшой поверхностный
ESD защитило до 2kV
полностью неэтилированное & полно RoHS уступчивое (примечания 1 & 2)
галоид и сурьма свободные. «Зеленый» прибор (примечание 3)
квалифицировало к стандартам AEC-Q101 для высокого Reliabilit
Механические данные
случай : SOT363
материал случая : Прессованная пластмасса, «зеленая» литьевая масса. Классификация оценок 94V-0 воспламеняемости UL
чувствительность влаги : Вровень 1 в J-STD-020
соединения терминальные: См. диаграмму
терминалы : Закончите – штейновое олово обожженное над сплавом 42 Leadframe. Solderable согласно с MIL-STD-202, метод 208
вес : 0,006 грамма (приблизительный)
| Категория продукта: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-363-6 | |
| N-канал | |
| Канал 2 | |
| 50 v | |
| 305 мам | |
| 2 ома | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 490 mV | |
| ПК 400 | |
| - 65 c | |
| + 150 c | |
| 250 mW | |
| Повышение | |
| Вьюрок | |
| Раскроенная лента | |
| MouseReel | |
| Конфигурация: | Двойной |
| Время падения: | 8,4 ns |
| Передний Transconductance - минута: | госпожа 200 |
| Высота: | 1 mm |
| Длина: | 2,2 mm |
| Продукт: | Сигнал MOSFET небольшой |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Время восхода: | 1,8 ns |
| Серия: | DMN5L06 |
| 3000 | |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Тип транзистора: | N-канал 2 |
| Типичное время задержки поворота-: | ns 14,4 |
| Типичное время задержки включения: | 2,1 ns |
| Ширина: | 1,35 mm |
| Вес блока: | 0,000265 oz |