n type enhancement mosfet

Описание продукта: Силовая электроника FDMA908PZ MOSFET Параметры: • Напряжение: 8–28 В.• Пакет: ТО-220• Максимальный непрерывный то.........

Модули IGBT для автомобилей MSCSM170HRM451AG Мосфетный массив T-тип SiC Мосфетный силовой модуль [Преимущество MJD] + 15 лет опыта работы с электр.........

NGD8205ANT4G Силовой модуль IGBT Транзисторы IGBT Single Технические характеристики NGD8205ANT4G Статус детали Активный.........

Описание продукта: Кабели FAKRA, необходимые для современных автомобильных технологий, обеспечивают надежную передачу сигнала с множеством преимущес........

Р45Х4045МР-101 400-450МХз 45В 12.5В, 3 ставят АМП. Для МОБИЛЬНОГО РАДИО ОПИСАНИЕ РА45Х4045МР модуль усилителя МОСФЭТ РФ 45 ватт для радио 12,5.........

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет ОПИСАНИЕ транзистора Мосфет канала н УТК 12Н60-К высо.........

Тип МОСФЭТ МОС канала п кремния транзистора влияния поля ТПК8111 силы ХЭСФЭТ Применения литий-ионного аккумулятора Применения ПК тетради Порт.........

MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin Trans IPB200N25N3 Infineon (2+Tab) D2PAK T/RТехнические данные продукта ЕС RoHS Уступчивый с освобождением.........

JY4N8M N Режим усиления канала Мост на поверхности питания MOSFET для драйвера BLDC Общее описание: JY4N8M использует новейшие методы обработки тр.........

Mosfet силы канавы mosfet силы MOSFET РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА ZXMP10A17E6TA 100V линейный ОСОБЕННОСТИ • Низкое на-сопротивление • Быстра.........

DMN26D0UFB4-7 Диоды MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 DMN26D0UFB4-7B Производитель: Diodes IncorporatedКатегория продукции: MOSFE.........

MOSFET Повышени-режима N-канала FS8205A двойной (20V, 6A) 1.Description Этот N-канал 2.5V определил MOSFET изрезанная версия ворот предварительн.........

MOSFET силы режима повышения канала JY4P7M p для сильнотоковых применений нагрузки Общее описание В сильнотоковых применениях нагрузки, JY4P7M д.........