китай категории
Русский язык

Тип МОСФЭТ МОС канала п кремния транзистора Мосфет силы влияния поля ТПК8111 силы ХЭСФЭТ

Номер модели:TPC8111
Место происхождения:Тайвань
Количество минимального заказа:5 шт
Термины компенсации:T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:580pcs
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте


Тип МОСФЭТ МОС канала п кремния транзистора влияния поля ТПК8111 силы ХЭСФЭТ

Применения литий-ионного аккумулятора

Применения ПК тетради

Портативные применения оборудования

 

 

 

• Небольшой след ноги должный к небольшому и тонкому пакету

• Низкий сток-источник НА сопротивлении: МΩ 8,1 РДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.)

• Высокий передний вход передачи: |Ифс| = 23 с (тип.)

• Низкое течение утечки: ΜА ИДСС = −10 (максимальное) (ВДС = −30 в)

• Повышени-режим: Втх = −0.8 к −2.0 в (ВДС = −10 в, ИД = мамы −1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Примечание: Для (примечание 1), (примечание 2), (примечание 3) и (примечание 4), пожалуйста ссылается на следующую страницу. Этот транзистор электростатический чувствительный прибор. Пожалуйста отрегулируйте с осторожностью

 

 

 

 

Максимальные оценки (животики = 25°К)

Характеристики СимволКлассифицировать Блок
напряжение тока Сток-источника ВДСС −30В
напряжение тока Сток-ворот (РГС = кΩ 20) ВДГР −30В
напряжение тока Ворот-источника ВГСС ±20 В
Стеките диссипацию силы (т = 10 с)ПД 1,9 В
Стеките диссипацию силы (т = 10 с)ПД 1,0  В
Определите энергию лавины ИМПа ульсЭАС 31,5 мДж
Течение лавины ИАР −11А
Повторяющийся энергия лавиныУХО0,19мДж
Температура канала Тч 150°К

 

 

 

 

СПИСОК ЗАПАСА 

ХМХАА280Р11520ФЭЙРЧАЙЛД16+СОП-4
ЛКХ55ПН100МРОЛ6782МУРАТА16+СМД
МСС1260-683МЛД6890КОИЛКРАФТ16+СМД
ТСЛ1112РА-102ДЖР50-ПФ10000ТДК14+ПОГРУЖЕНИЕ
МДЖЭ340Г10000НА16+ТО-126
БД139-165500СТ16+ТО-126
БД140-165500СТ15+ТО-126
2СК26253000ФУДЗИ15+ТО-3П
ТР600-15038000ТИКО16+ПОГРУЖЕНИЕ
А1324ЛУА-Т3420АЛЛЕГРО15+СИП-3
ЛВР040К38000РАИКХЭМ/Т16+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛВР025С38000РАИКХЭМ/Т16+ПОГРУЖЕНИЕ
МФ-Р01038000БОУРНС16+ПОГРУЖЕНИЕ
МФ-Р01725000БОУРНС16+ПОГРУЖЕНИЕ
БФР96ТС5000ВИСХАИ15+ТО-50
М28С20000УТК10+ТО-92
МФ-Р04040000БОУРНС14+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛВР040С38000РАИКХЭМ/Т16+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛВР075С5063РАИКХЭМ/Т16+ПОГРУЖЕНИЕ
МФ-Р60010000БОУРНС16+ПОГРУЖЕНИЕ
МФ-Р09038000БОУРНС16+ПОГРУЖЕНИЕ
ПКМ13ЭПИХ4000-АО5000НУРАТА10+ПОГРУЖЕНИЕ
ДЭ1Э3КС102МДЖ5БА01900МУРАТА15+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛВР01238000ТИКО16+ПОГРУЖЕНИЕ
КС10243750ЗС15+ТО-92С
20Д151К3000ЗОВ16+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛПД6803С30000ЛПД15+СОП-16
МИКРОСМД005Ф-225000ТИКО16+СМД
БЛМ21БД601СН1Д8000МУРАТА15+СМД
БЛМ21АГ01СН1Д8000МУРАТА15+СМД
АТ24К02Д-ССХМ-Т4000АТМЭЛ15+СОП-8
ВЭСД05А1Б-02З-ГС0840000ВИСХАИ15+СОД-923
АТ24К02БН-СХ-Т4000АТМЭЛ15+СОП-8
МИКРОСМД050Ф-225000ТИКО16+СМД
НДТ295516800ФЭЙРЧАЙЛД14+СОТ-223
АИ1112Х-ТР8000СТЭНЛИ09+СМД
НФМ3ДКК223Р1Х3Л938000МУРАТА16+СМД
China Тип МОСФЭТ МОС канала п кремния транзистора Мосфет силы влияния поля ТПК8111 силы ХЭСФЭТ supplier

Тип МОСФЭТ МОС канала п кремния транзистора Мосфет силы влияния поля ТПК8111 силы ХЭСФЭТ

Запрос Корзина 0