CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Спросите последнюю цену
Номер модели :12N60
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :транзистор силы mosfet
Применение :Управление силы
Функция :Превосходный РДС (дальше)
Транзистор Mosfet силы :МОСФЭТ силы режима повышения
Тип :транзистор мосфет канала н
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

 

ОПИСАНИЕ транзистора Мосфет канала н

УТК 12Н60-К высоковольтный МОСФЭТ силы конструированный для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и высокие изрезанные характеристики лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно использован в высокоскоростных применениях переключения электропитаний и переходников переключения.

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

 

ОСОБЕННОСТИ транзистора Мосфет канала н

  * РДС(ДАЛЬШЕ)< 0=""> ГС = 10 В, ИД = 6,0 А

* быстрая возможность переключения

* испытанная энергия лавины

* улучшенная возможность дв/дт, высокая пересеченность

 

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номер Пакет Штыревая идентификация Паковать
Неэтилированный Галоид освобождает   1 2 3  
12Н60Л-ТФ1-Т 12Н60Г-ТФ1-Т ТО-220Ф1 Г Д С Трубка
12Н60Л-ТФ3-Т 12Н60Г-ТФ3-Т ТО-220Ф Г Д С Трубка

 

 

Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник

 

 

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (тк = 25°С, если не указано иное)

 

ПАРАМЕТР СИМВОЛ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИНУТА ТИП МАКС УНИ Т
С ХАРАКТЕРИСТИК
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В, ИД=250μА 600     В
Течение утечки Сток-источника ИДСС ВДС=600В, ВГС=0В     1 μА
Течение утечки источника ворот Передний ИГСС ВГС=30В, ВДС=0В     100 нА
Обратный ВГС=-30В, ВДС=0В     -100 нА
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Напряжение тока порога ворот ВГС (ТХ) ВДС=ВГС, ИД=250μА 2,0   4,0 В
Статическое сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10В, ИД=6.0А     0,7
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Входная емкость КИСС

 

ВГС=0В, вДС=25В, ф =1.0 МХз

  1465   пФ
Емкость выхода КОСС   245   пФ
Обратная емкость передачи КРСС   57   пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Полная обязанность ворот (примечание 1) КГ ВДС=50В, ИД=1.3А, ИГ=100μА вГС=10В (примечание 1,2)   144   нК
Обязанность Ворот-источника КГС   10   нК
Обязанность Ворот-стока КГД   27   нК
Турн-Он время задержки (примечание 1) тД (ДАЛЬШЕ)

 

ВДД =30В, ИД =0.5А,

Рг =25Ω, вГС=10В (примечание 1,2)

  81   нс
Турн-Он время восхода тр   152   нс
Время задержки поворота- тД ()   430   нс
Время падения поворота- тф   215   нс
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА ДРАИН-СОУРКЭ И МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
Максимальный непрерывный пропускной ток диода Сток-источника ИС       12 А

Максимум пульсировал диод Сток-источника

Пропускной ток

ИЗМ       48 А
Пропускное напряжение диода Сток-источника ВСД ВГС=0 В, ИС=6.0 А     1,4 В
Обратное время восстановления трр

ВГС=0 В, ИС=6.0 А,

дИФ/дт=100 А/μс (примечание 1)

  336   нс
Обратная обязанность спасения Крр   2,21   μК

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К

6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)

 

Параметр Символ Условие Минута Тип Макс Блок
С характеристик
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В иД=250μА 100 110 - В
Зеро течение стока напряжения тока ворот ИДСС ВДС=100В, ВГС=0В - - 1 μА
Течение утечки Ворот-тела ИГСС ВГС=±20В, ВДС=0В - - ±100 нА
На характеристиках (примечании 3)
Напряжение тока порога ворот ВГС (тх) ВДС=ВГС, ИД=250μА 1,2 1,8 2,5 В
Сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10В, ИД =8А 98   130 Ω м
Передний Транскондуктансе гФС ВДС=25В, ИД=6А 3,5 - - С
Характеристики динамической чувствительности (Ноте4)
Входная емкость Кльсс

 

ВДС=25В, вГС=0В, Ф=1.0МХз

- 690 - ПФ
Емкость выхода Косс   - 120 - ПФ
Обратная емкость передачи Крсс   - 90 - ПФ
Характеристики переключения (примечание 4)
Турн-он время задержки тд (дальше)

 

ВДД=30В, ИД=2А, РЛ=15Ω вГС=10В, рГ=2.5Ω

- 11 - нС
Турн-он время восхода тр   - 7,4 - нС
Время задержки поворота- тд ()   - 35 - нС
Время падения поворота- тф   - 9,1 - нС
Полная обязанность ворот Кг

 

ВДС=30В, ИД=3А, ВГС=10В

- 15,5   нК
Обязанность Ворот-источника Кгс   - 3,2 - нК
Обязанность Ворот-стока Кгд   - 4,7 - нК
Характеристики диода Сток-источника
Пропускное напряжение диода (примечание 3) ВСД ВГС=0В, ИС=9.6А - - 1,2 В
Пропускной ток диода (примечание 2) ИС   - - 9,6 А
Обратное время восстановления трр

ТДЖ = 25°К, ЕСЛИ =9.6А

ди/дт = 100А/μс(Ноте3)

- 21   нС
Обратная обязанность спасения Крр   - 97   нК
Переднее турн-Он время тонна Внутреннеприсущее турн-он время незначительно (включение преобладан ЛС+ЛД)


Существенно независимый рабочей температуры. Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

 

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

 

 

Запрос Корзина 0