ЕС RoHS	Уступчивый с освобождением
ECCN (США)	EAR99
Состояние части	Активный
SVHC	Да
SVHC превышает порог	Да
Автомобильный	Никакой
PPAP	Никакой
Категория продукта	MOSFET силы
Конфигурация	Одиночный
Технологический прочесс	OptiMOS 3
Режим канала	Повышение
Тип канала	N
Количество элементов в обломок	1
Максимальное напряжение тока источника стока (v)	250
Максимальное напряжение тока источника ворот (v)	±20
Максимальное непрерывное течение стока (a)	64
Максимальное сопротивление источника стока (MOhm)	20@10V
Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC)	64@10V
Типичная обязанность @ 10V ворот (nC)	64
Типичная входная емкость @ Vds (pF)	5340@100V
Максимальная диссипация силы (mW)	300000
Типичное время падения (ns)	12
Типичное время восхода (ns)	20
Типичное время задержки поворота- (ns)	45
Типичное время задержки включения (ns)	18
Минимальная рабочая температура (°C)	-55
Максимальная рабочая температура (°C)	175
Упаковка	Лента и вьюрок
Отсчет Pin	3
Имя стандартного пакета	TO-263
Пакет поставщика	D2PAK
Установка	Поверхностный держатель
Высота пакета	4,57 (Макс)
Длина пакета	10,31 (Макс)
Ширина пакета	9,45 (Макс)
PCB изменил	2
Плата	Плата

MOSFET наивысшей мощности IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R Mosfet 250V 64A 3 n Ch

Электронный блок Кристл

Электронные диоды и транзисторы

Блок MCU микроконтроллера

Хранение данных флэш-памяти

Соединитель доски PCB

Интегральная схемаа SMD

Модуль цифров электронный

MOSFET наивысшей мощности

СИД оптической электроники

Пассивные электронные блоки

Цепь FPC гибкая напечатанная

Обслуживание собрания PCB

Электронное табло цифров

Реле силы сигнала

Глубокий переключатель SMD

Инструменты разработчика

Кабельная проводка UL

Датчики электронного блока

Собрания кольца выскальзывания

MOSFET наивысшей мощности IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R Mosfet 250V 64A 3 n Ch

MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin Trans IPB200N25N3 Infineon (2+Tab) D2PAK T/R

Технические данные продукта

mosfet number

transistor mosfet p3nk90zfp

to220 mosfet