китай категории
Русский язык

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Номер модели:12N60
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
Срок поставки:1 до 2 недели
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

 

ОПИСАНИЕ транзистора Мосфет канала н

УТК 12Н60-К высоковольтный МОСФЭТ силы конструированный для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и высокие изрезанные характеристики лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно использован в высокоскоростных применениях переключения электропитаний и переходников переключения.

 

ОСОБЕННОСТИ транзистора Мосфет канала н

  * РДС(ДАЛЬШЕ)< 0=""> ГС = 10 В, ИД = 6,0 А

* быстрая возможность переключения

* испытанная энергия лавины

* улучшенная возможность дв/дт, высокая пересеченность

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номерПакетШтыревая идентификацияПаковать
НеэтилированныйГалоид освобождает 123 
12Н60Л-ТФ1-Т12Н60Г-ТФ1-ТТО-220Ф1ГДСТрубка
12Н60Л-ТФ3-Т12Н60Г-ТФ3-ТТО-220ФГДСТрубка

 

 

Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник

 

 

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (тк = 25°С, если не указано иное)

 

ПАРАМЕТРСИМВОЛУСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙМИНУТАТИПМАКСУНИ Т
С ХАРАКТЕРИСТИК
Пробивное напряжение Сток-источникаБВДССВГС=0В, ИД=250μА600  В
Течение утечки Сток-источникаИДССВДС=600В, ВГС=0В  1μА
Течение утечки источника воротПереднийИГССВГС=30В, ВДС=0В  100нА
ОбратныйВГС=-30В, ВДС=0В  -100нА
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Напряжение тока порога воротВГС (ТХ)ВДС=ВГС, ИД=250μА2,0 4,0В
Статическое сопротивление На-государства Сток-источникаРДС (ДАЛЬШЕ)ВГС=10В, ИД=6.0А  0,7
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Входная емкостьКИСС

 

ВГС=0В, вДС=25В, ф =1.0 МХз

 1465 пФ
Емкость выходаКОСС 245 пФ
Обратная емкость передачиКРСС 57 пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Полная обязанность ворот (примечание 1)КГВДС=50В, ИД=1.3А, ИГ=100μА вГС=10В (примечание 1,2) 144 нК
Обязанность Ворот-источникаКГС 10 нК
Обязанность Ворот-стокаКГД 27 нК
Турн-Он время задержки (примечание 1)тД (ДАЛЬШЕ)

 

ВДД =30В, ИД =0.5А,

Рг =25Ω, вГС=10В (примечание 1,2)

 81 нс
Турн-Он время восходатр 152 нс
Время задержки поворота-тД () 430 нс
Время падения поворота-тф 215 нс
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА ДРАИН-СОУРКЭ И МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
Максимальный непрерывный пропускной ток диода Сток-источникаИС   12А

Максимум пульсировал диод Сток-источника

Пропускной ток

ИЗМ   48А
Пропускное напряжение диода Сток-источникаВСДВГС=0 В, ИС=6.0 А  1,4В
Обратное время восстановлениятрр

ВГС=0 В, ИС=6.0 А,

дИФ/дт=100 А/μс (примечание 1)

 336 нс
Обратная обязанность спасенияКрр 2,21 μК

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К

6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)

 

ПараметрСимволУсловиеМинутаТипМаксБлок
С характеристик
Пробивное напряжение Сток-источникаБВДССВГС=0В иД=250μА100110-В
Зеро течение стока напряжения тока воротИДССВДС=100В, ВГС=0В--1μА
Течение утечки Ворот-телаИГССВГС=±20В, ВДС=0В--±100нА
На характеристиках (примечании 3)
Напряжение тока порога воротВГС (тх)ВДС=ВГС, ИД=250μА1,21,82,5В
Сопротивление На-государства Сток-источникаРДС (ДАЛЬШЕ)ВГС=10В, ИД =8А98 130Ω м
Передний ТранскондуктансегФСВДС=25В, ИД=6А3,5--С
Характеристики динамической чувствительности (Ноте4)
Входная емкостьКльсс

 

ВДС=25В, вГС=0В, Ф=1.0МХз

-690-ПФ
Емкость выходаКосс -120-ПФ
Обратная емкость передачиКрсс -90-ПФ
Характеристики переключения (примечание 4)
Турн-он время задержкитд (дальше)

 

ВДД=30В, ИД=2А, РЛ=15Ω вГС=10В, рГ=2.5Ω

-11-нС
Турн-он время восходатр -7,4-нС
Время задержки поворота-тд () -35-нС
Время падения поворота-тф -9,1-нС
Полная обязанность воротКг

 

ВДС=30В, ИД=3А, ВГС=10В

-15,5 нК
Обязанность Ворот-источникаКгс -3,2-нК
Обязанность Ворот-стокаКгд -4,7-нК
Характеристики диода Сток-источника
Пропускное напряжение диода (примечание 3)ВСДВГС=0В, ИС=9.6А--1,2В
Пропускной ток диода (примечание 2)ИС --9,6А
Обратное время восстановлениятрр

ТДЖ = 25°К, ЕСЛИ =9.6А

ди/дт = 100А/μс(Ноте3)

-21 нС
Обратная обязанность спасенияКрр -97 нК
Переднее турн-Он времятоннаВнутреннеприсущее турн-он время незначительно (включение преобладан ЛС+ЛД)


Существенно независимый рабочей температуры. Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

 

 

 

China Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет supplier

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет

Запрос Корзина 0