усиление мосфета

DMN26D0UFB4-7 Диоды MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 DMN26D0UFB4-7B Производитель: Diodes IncorporatedКатегория продукции: MOSFE.........

JY4N8M N Режим усиления канала Мост на поверхности питания MOSFET для драйвера BLDC Общее описание: JY4N8M использует новейшие методы обработки тр.........

N-канал 600 v Mosfet транзистора силы STWA65N60DM6 Mosfet, тип 0,084 омов., 30 особенность силы TO-247 a MDmesh DM6 • Весьма - низкие *area RDS (дальш......

IRF135S203 MOSFET Высокая выходная мощность и низкое сопротивление в открытом состоянии для повышения производительности Назван.........

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет ОПИСАНИЕ транзистора Мосфет канала н УТК 12Н60-К высо.........

Р45Х4045МР-101 400-450МХз 45В 12.5В, 3 ставят АМП. Для МОБИЛЬНОГО РАДИО ОПИСАНИЕ РА45Х4045МР модуль усилителя МОСФЭТ РФ 45 ватт для радио 12,5.........

Мощный полевой МОП-транзистор NVMS5P02 с одним P-каналом в улучшенном режиме, мощный полевой МОП-транзистор -20 В, -5,4 А, 33 мОм [Втчо м.........

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала • Канал p • Режим повышения • Уровень логики.........

40В интегральный микросхема DMT47M2SFVWQ 150°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET Описание продукта DMT47M2SFVWQ DMT47M2SFVWQ N-Channel MOSFET предс.........

Mosfet силы канавы mosfet силы MOSFET РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА ZXMP10A17E6TA 100V линейный ОСОБЕННОСТИ • Низкое на-сопротивление • Быстра.........

Транзистор канала n mosfets силы SIHF10N40D-E3 работает в режиме повышения Диссипация силы SIHF10N40D-E3 Vishay максимальная 33000 mW. Этот транзисто.......

ОБЛОМОК AP4953GM ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМАЫ --MOSFET СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА Быстрая деталь: MOSFET СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА Спе.........

MOSFET Повышени-режима N-канала FS8205A двойной (20V, 6A) 1.Description Этот N-канал 2.5V определил MOSFET изрезанная версия ворот предварительн.........

MOSFET силы режима повышения канала JY4P7M p для сильнотоковых применений нагрузки Общее описание В сильнотоковых применениях нагрузки, JY4P7M д.........

SOT-23 Пластмасс-помещают MOSFETS Транзистор влияния поля режима повышения N-канала BC3400 BC3400 SOT-23 Datasheet.pdf......

MOSFET режима повышения 20V N+N-Channel ОПИСАНИЕ 8H02ETSuses выдвинуло технологию канавы к обеспечьте превосходный RDS (ДАЛЬШЕ), низкую.........

MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........

Дискритетные полупроводники PSMN1R1-30YLEX S...

NX7002AK, описание 215 продуктов MOSFET 60V 190mA одиночное SMD/SMT канавы N-канала SOT-23-3 1: NX7002AK транзистор Пол-влияния режима повышения N-кан......