NX7002AK транзистор Пол-влияния режима повышения N-канала (FET) в поверхностном установленном пакете прибора (SMD) пластиковом используя технологию MOSFET канавы.

Очень быстрое переключение

Предохранение от ESD до 1.5kV

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R Trans

Loadswitch Низко-стороны водителя на линии водителя реле цепи высокоскоростного переключая

Технологические параметры:

сопротивление Сток-источника	3 Ω
Мощность рассеяния	0,325 w
напряжение тока порога	1,6 v
входная емкость	15 pF
Напряжение тока Сток-источника (Vds)	60 v
Входная емкость (Ciss)	17pF @10V (Vds)
Расклассифицированная сила (Макс)	265 mW
Мощность рассеяния (Макс)	265mW (животики), 1.33W (Tc)
Метод установки	Поверхностный держатель
Количество штырей	3
пакет	SOT-23-3
Рабочая температура	-55℃ \| 150℃ (TJ)
Упаковка	Лента & вьюрок (TR)
Изготовляя применения	Аудио, управление силы
Стандарт RoHS	RoHS уступчивое

Метки товара:

NX7002AK, 215 1 Mosfet 60V 190mA одиночные SMD/SMT канавы канала n

Электронные обломоки IC

Микросхема памяти IC

Обломок IC транзистора

Усилитель IC откалывает

Интегральная схемаа микроконтроллера

Управление ICs силы

Монтажная плата PCBA

Модуль интегральной схемаы

Другие электронные блоки

Резисторы конденсаторов

Диод полупроводника

NX7002AK, 215 1 Mosfet 60V 190mA одиночные SMD/SMT канавы канала n

mosfet 200a

mosfet smd

smd mosfet