Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
9 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала

Спросите последнюю цену
Номер модели :BSP315
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :20шт
Термины компенсации :T/T, западное соединение, Paypal
Способность поставкы :6800PCS
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Линия :Ic, модуль, транзистор, диоды, конденсатор, резистор etc
Особенности :Канал p
Features2 :Режим повышения
Features3 :• Уровень логики
Features4 :VGS (th) = -0,8… - 2,0 v
Пакет :SOT-23
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала

 

 

• Канал p

• Режим повышения                    Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала

• Уровень логики

• VGS (th) = -0,8… - 2,0 v

 

 

 

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пробивное напряжение v Сток-источника (BR) DSS = ƒ (Tj)

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала 

 

 

Переходный термальный импеданс Zth JA = параметр ƒ (tp): D = tp/t

 

Режим BSP315 SIPMOS повышения канала p транзистора Mosfet силы сигнала 

 

 

 

Максимальные номинальности

Параметр  Символ  Значения  Блок
Стеките напряжение тока источника  VDS  -50 V

напряжение тока Сток-строба

RGS = kΩ 20

VDGR -50
Напряжение тока источника строба VGS  ± 20

Непрерывное течение стока

TA = °C 39

ID -1,1 A

Течение стока DC,

пульсированный TA = °C 25

IDpuls -4,4

Диссипация силы

TA = °C 25

Младенец p 1,8 W

 

 

Запрос Корзина 0