полупроводники

Наши 6-дюймовые сапфировые подложки изготавливаются из высококачественного монокристаллического оксида алюминия (Al₂O₃) и предназначены для полупровод......

Усилители микроволновой мощности Наши усилители мощности микроволнов предназначены для высокопроизводительных RF и миллиметровых волн.обеспечивает п........

2inch 4inch 4" сапфир основало фильм GaN шаблонов GaN на субстрате сапфира Свойства GaN Химические свойства GaN 1) На комнатной темпера.........

Порты USB a 2 USB C заряжателя IPhone13 QC3.0 GaN для MacBook Pro Заряжатель стены портов USB C+USB a 2 заряжателя заряжателя 65W GaN USB GaN для.........

Ключевые особенности: Поддерживает несколько диапазонов частот от 300 МГц до 6000 МГц, предлагая гибкие решения для усиления РЧ в различных сценари.........

140 Вт быстрая зарядка высокой мощности GaN, передовая технология GaN, меньший размер, более высокая эффективность, поддержка протоколов быстрой зар........

...

Пакет MOSFET TO247 канавы транзисторов IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC Описание CoolSiC™ 1200 v, MOSFET SiC 14 mΩ в строении пакета TO247-4 н.........

Нитрид галлия на вафлях сапфира (GaN) Мы растем вафли сапфира используя несколько методов Знаны, что будет процесс Czrochroski (CZ) более.........

41FVX-RSM1-GAN-ETF, от JST Продаж Америки Inc., полупроводник-интегрированные цепи - ICs.what мы предлагаем имеют конкурентоспособную цену в мировом р......

100w заряжатель компакта PD Usb c с типом-C ноутбуком заряжателя стены PD 3,0 переходника силы Usb c заряжателя стены Pd Gan самым небольшим Обз.........

Резьбовая палитра Полупроводниковые расходные материалы Основные особенности Решетка для гравирования изготовлена из высокочистой синтерированной ке........

Благодаря широкому прямому диапазону (в диапазоне 3,4 eV), сильным атомным связям, высокой теплопроводности и превосходной устойчивости к излучению, G......

100 Вт 1800-2000 МГц GaN Модуль усилителя мощности радиочастотного излучения высокомощный FPV УПЛА подавляющий широкополосный 100 Вт - это высокоп.........

выход порта заряжателя 3 65w супер быстрый GaN для планшета мобильного телефона Особенность заряжателя GaN 1. список нитрида галлия 65W новый м.........

HACC221S100V502 Прецизионный конденсатор MOS с мощностью 220 pF 100 V с соответствием емкости до 1% и оптимизацией CTE для мощных субстратов GaN & SiC......

Вафля Windows сапфира вафли сапфира полупроводника пьезоэлектрическая Сапфир материал уникальных свойств сочетания из физических, химических и оп.........