полупроводники

2inch 4inch 4" сапфир основало фильм GaN шаблонов GaN на субстрате сапфира Свойства GaN Химические свойства GaN 1) На комнатной темпера.........

Порты USB a 2 USB C заряжателя IPhone13 QC3.0 GaN для MacBook Pro Заряжатель стены портов USB C+USB a 2 заряжателя заряжателя 65W GaN USB GaN для.........

шаблон субстратов 2инч ГаН, вафля для ЛеД, семикондуктинг вафля для льд, шаблон ГаН нитрида галлия ГаН, вафля моквд ГаН, свободно стоящие субстраты п.......

Субстраты ГаН 4 дюймов Фрестандинг как материалы полупроводника ИИИ-нитрида ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (н.........

Пакет MOSFET TO247 канавы транзисторов IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC Описание CoolSiC™ 1200 v, MOSFET SiC 14 mΩ в строении пакета TO247-4 н.........

Нитрид галлия на вафлях сапфира (GaN) Мы растем вафли сапфира используя несколько методов Знаны, что будет процесс Czrochroski (CZ) более.........

41FVX-RSM1-GAN-ETF, от JST Продаж Америки Inc., полупроводник-интегрированные цепи - ICs.what мы предлагаем имеют конкурентоспособную цену в мировом р......

100w заряжатель компакта PD Usb c с типом-C ноутбуком заряжателя стены PD 3,0 переходника силы Usb c заряжателя стены Pd Gan самым небольшим Обз.........

Резьбовая палитра Полупроводниковые расходные материалы Основные особенности Решетка для гравирования изготовлена из высокочистой синтерированной ке........

Благодаря широкому прямому диапазону (в диапазоне 3,4 eV), сильным атомным связям, высокой теплопроводности и превосходной устойчивости к излучению, G......

выход порта заряжателя 3 65w супер быстрый GaN для планшета мобильного телефона Особенность заряжателя GaN 1. список нитрида галлия 65W новый м.........

Вафля Windows сапфира вафли сапфира полупроводника пьезоэлектрическая Сапфир материал уникальных свойств сочетания из физических, химических и оп.........