Решетка для гравирования изготовлена из высокочистой синтерированной керамики карбида кремния без давления.высокая точность и хорошая однородность офорта эпитаксического слоя пластины.

Применение

Процесс выгравирования ICP эпитаксиальных пленочных материалов ((GaN, SiO 2, и т.д.) для микросхем светодиодных пластин, точных керамических деталей для полупроводниковой диффузии и эпитаксический процесс MOCVD для полупроводниковых пластин.

Спецификация:

Диаметр диапазона: 50 ~ 500 мм. толщина: 3 ~ 20 мм, спецификации на заказ доступны.

Запрос Корзина 0

Керамика из карбида кремния

Промышленные абразивы

Абразивы покрытые

Абразивные материалы

Подшипник для роликовых шаров

Вставки инструмента карбида

Абразивные материалы из смолы

Абразивные материалы с металлическими связями

Измерительный прибор подшипника

Стеклянные абразивные материалы

Электроплавированные инструменты

Подшипники запасных частей

Алмазный слюн

Однокристаллический бриллиант

Приборы для измерения точности

Нитрирование соляной ванной

Потребительские материалы для полупроводников

Керамика из карбида кремния