Субстраты GaN
Место происхождения:ХЭФЭИ, Китай
Количество минимального заказа:10 ПК
Условия оплаты:Т/Т
Способность поставки:5000000 ПКС/Монтх
Срок поставки:30 дней
Упаковывая детали:КОРОБКИ
контакт
Add to Cart
Сайт Участник
Hefei Anhui China
Адрес:
Дорога No.451 Huangshan, Hefei, Аньхой, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 27 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Благодаря широкому прямому диапазону (в диапазоне 3,4 eV), сильным атомным связям, высокой теплопроводности и превосходной устойчивости к излучению, GaN является не только оптоэлектронным материалом с короткой длиной волны,но также и альтернативный материал для высокотемпературных полупроводниковых устройствОсновываясь на стабильных физических и химических свойствах, GaN подходит для применения в светодиодах (синий, зеленый, ультрафиолетовый свет), ультрафиолетовых детекторах и оптоэлектронных устройствах высокой мощности и высокой частоты.
| Спецификация | ||
| Тип | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Размер | 100,0 мм × 10,5 мм | 140,0 мм × 15,0 мм |
| Толщина | Ранг 300, Ранг 350, Ранг 400 | 300 ± 25 мкм, 350 ± 25 мкм, 400 ± 25 мкм |
| Ориентация | С-ось ((0001) ± 0,5° | |
| TTV | ≤ 15 мкм | |
| ВЫБОК | ≤ 20 мкм | |
| Концентрация носителя | > 5х1017/см3 | / |
| Тип провода | Тип N | Полуизоляция |
| Сопротивляемость ((@300K) | < 0,5 Ω•см | > 106Ом•см |
| Плотность дислокации | менее 5х106см-2 | |
| Пользуемая площадь поверхности | > 90% | |
| Полировка | Передняя поверхность: Ra < 0,2 нм. Задняя поверхность: тонкая почва | |
| Пакет | Упаковывается в чистой комнате класса 100, в контейнерах с одной пластинкой, в атмосфере азота. | |
Субстраты GaN
Запрос Корзина
0