Мосфет ЛДМОС БЛФ178СР РФ (двойное), общедоступный источник 50В 40мА 108МХз 28дБ 1400В СОТ539А 1. 1 общее описание В весьма изрезанный ЛДМОС транзистор ...
ФЭТ С-диапазона транзистора силы ФЛМ0910-25Ф РФ внутренне, который соответствуют ОПИСАНИЕ ФЛМ0910-25Ф ФЭТ ГаАс силы который внутренне диапазоны частот ...
Транзистор 500В Пол-влияния силы МРФ151Г РФ, 50В, замена МОСФЭТ Н-канала 175МХз широкополосная для БЛФ278 Особенности 1, гарантированное представление ...
Тип транзистор МОСФЭТ РД100ХХФ1 специфически конструировал для применений усилителей наивысшей мощности ХФ ОСОБЕННОСТИ • Наивысшая мощность и высокое ...
РА03М8087М-101 806-870МХз 3.6В 7.2В, 2 ставят транзистор АМП РФ Силы для ПОРТАТИВНОГО РАДИО Описание РА03М8087М модуль усилителя МОСФЭТ РФ 3,6 ватт дл...
Транзистор Мосфет силы РА30Х1317М для мобильной пользы 135-175МХз 30В 12.5В радио ОПИСАНИЕ РА30Х1317М модуль усилителя МОСФЭТ РФ 30 ватт для радио 12....
Мосфет ЛДМОС МРФЭ6ВП6300ХР5 РФ (двойное) 50В 100мА 230МХз 26.5дБ 300В НИ-780-4 Эти высокие приборы пересеченности конструированы для пользы в высоком ...
Мосфет ЛДМОС МРФЭ6ВП5600ХР5 РФ (двойное) 50В 100мА 230МХз 25дБ 600В НИ-1230 Эти высокие приборы пересеченности конструированы для пользы в высоком ВСВ...
Мосфет ЛДМОС 50В 350мА 860МХз 22дБ 18В ТО-272 ВБ-4 МРФ6В3090НБР1 РФ Конструированный для передачи и коммерчески космических широкополосных применений ...
Кремниевый транзистор 175MHz 6W POWER MOSFET RD06HVF1 RF для применений усилителей Описание RD06HVF1 RD06HVF1 — это полевой МОП-транзистор, специально ...