Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Сайт Участник
8 лет
Главная / продукты /

транзистор силы mosfet

контакт
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrZhu
контакт
1 - 10 из 67

 транзистор силы mosfet

Частота транзистора силы 50В Мосфет БЛФ178СР 28дБ 40мА 108МХз

Мосфет ЛДМОС БЛФ178СР РФ (двойное), общедоступный источник 50В 40мА 108МХз 28дБ 1400В СОТ539А 1. 1 общее описание В весьма изрезанный ЛДМОС транзистор ...
контакт

Add to Cart

Высокая эффективность ФЭТ 93.7В транзистора РФ наивысшей мощности диапазона ФЛМ0910-25Ф кс

ФЭТ С-диапазона транзистора силы ФЛМ0910-25Ф РФ внутренне, который соответствуют ОПИСАНИЕ ФЛМ0910-25Ф ФЭТ ГаАс силы который внутренне диапазоны частот ...
контакт

Add to Cart

Замена транзистора канала МРФ151Г РФ н широкополосная для БЛФ278

Транзистор 500В Пол-влияния силы МРФ151Г РФ, 50В, замена МОСФЭТ Н-канала 175МХз широкополосная для БЛФ278 Особенности 1, гарантированное представление ...
контакт

Add to Cart

Транзистор силы Мосфет РД100ХХФ1 25А 12.5В для усилителей наивысшей мощности ХФ

Тип транзистор МОСФЭТ РД100ХХФ1 специфически конструировал для применений усилителей наивысшей мощности ХФ ОСОБЕННОСТИ • Наивысшая мощность и высокое ...
контакт

Add to Cart

Транзистор силы Мосфет РА03М8087М-101 для пакета портативного радио Х46С

РА03М8087М-101 806-870МХз 3.6В 7.2В, 2 ставят транзистор АМП РФ Силы для ПОРТАТИВНОГО РАДИО Описание РА03М8087М модуль усилителя МОСФЭТ РФ 3,6 ватт дл...
контакт

Add to Cart

Транзистор силы Мосфет РА30Х1317М для мобильного радио 135-175МХз 30В 12.5В

Транзистор Мосфет силы РА30Х1317М для мобильной пользы 135-175МХз 30В 12.5В радио ОПИСАНИЕ РА30Х1317М модуль усилителя МОСФЭТ РФ 30 ватт для радио 12....
контакт

Add to Cart

Транзистор 230МХз 26.5дБ 300В НИ-780-4 МРФЭ6ВП6300ХР5 РФ ЛДМОС

Мосфет ЛДМОС МРФЭ6ВП6300ХР5 РФ (двойное) 50В 100мА 230МХз 26.5дБ 300В НИ-780-4 Эти высокие приборы пересеченности конструированы для пользы в высоком ...
контакт

Add to Cart

ватт МРФЭ6ВП5600ХР5 транзистора ЛДМОС 600 Мосфет 100мА 230МХз РФ

Мосфет ЛДМОС МРФЭ6ВП5600ХР5 РФ (двойное) 50В 100мА 230МХз 25дБ 600В НИ-1230 Эти высокие приборы пересеченности конструированы для пользы в высоком ВСВ...
контакт

Add to Cart

транзистор силы ЛДМОС Мосфет 50В 350мА 18 в МРФ6В3090НБР1 22дБ

Мосфет ЛДМОС 50В 350мА 860МХз 22дБ 18В ТО-272 ВБ-4 МРФ6В3090НБР1 РФ Конструированный для передачи и коммерчески космических широкополосных применений ...
контакт

Add to Cart

Транзистор кремниевого карбида транзистора силы 175МХз РД06ХВФ1 РФ 6В для усилителей

Кремниевый транзистор 175MHz 6W POWER MOSFET RD06HVF1 RF для применений усилителей Описание RD06HVF1 RD06HVF1 — это полевой МОП-транзистор, специально ...
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0