Состояние части Активный Тип ИГБТ - Конфигурация Половинный мост Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) 1200В Настоящий - с...
Состояние части Активный Тип ФЭТ Н-канал Технология МОСФЭТ (металлическая окись) Стеките к напряжению тока источника (Вдсс) 500В Настоящий - непрерывн...
Модуль силы ИПМ-Н 6МБП50РА060-01 ИГБТ 600В 50А Особенности · Предохранение от температуры обеспечило сразу обнаруживать соединение температура ИГБЦ · ...