Транзистор силы Мосфет РА30Х1317М для мобильного радио 135-175МХз 30В 12.5В

Транзистор Mosfet силы RA30H1317M для мобильной пользы 135-175MHz 30W 12.5V радио

ОПИСАНИЕ

RA30H1317M модуль усилителя MOSFET RF 30 ватт для радио 12,5 вольт мобильных которые работают в 135 - к ряду 175-MHz. Батарею можно соединиться сразу со стоком транзисторов MOSFET повышени-режима. Без напряжения тока ворот (VGG=0V), только подачи небольшой утечки настоящие в сток и входной сигнал RF ослабляют dB до 60. Сила выхода и стечь настоящий рост как повышения напряжения тока ворот. С напряжением тока ворот вокруг 3.5V (минимального), сила выхода и стечь настоящие повышения существенно. Номинальная сила выхода будет доступной на 4V (типичном) и 5V (максимальном). На VGG=5V, типичное течение ворот мамы 1. Этот модуль конструирован для нелинейной модуляции FM, но может также быть использован для линейной модуляции путем устанавливать течение стока спокойное с напряжением тока ворот и контролировать силу выхода с силой входного сигнала.

ОСОБЕННОСТИ

1, транзисторы MOSFET Повышени-режима (IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>30W, hT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

2, широкополосный диапазон изменения частот: 135-175MHz

3, маломощный регулирующий ток IGG=1mA (тип) на VGG=5V

4, размер модуля: 66 X 21 x 9,88 mm

5, линейная операция возможно путем устанавливать спокойный сток настоящий с напряжением тока ворот и контролировать силу выхода с силой входного сигнала