продукты
Поставщики
Sign in
Register
Walton Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.
Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная
продукты.
Профиль Компании
Контроль качества
Свяжитесь с нами
просят квоту
Русский язык
English
Français
Español
日本語
Português
Обломок интегральной схемаы (191)
Обломок IC транзистора (35)
Обломок датчика температуры (16)
Беспроводные модули RF (17)
Общецелевые реле (6)
Диод SMD ТВ (21)
Конденсаторы обломока тантала (27)
Настоящие резисторы чувства (9)
Микросхемы памяти EMMC (22)
Гнезда IC ПОГРУЖЕНИЯ (7)
Переключатель мощности ICs (24)
Optocouplers выхода транзистора (8)
Обломок СИД SMD (16)
Управление ICs силы (82)
Главная
/
продукты
/
Обломок IC транзистора
Категории продукта
Обломок интегральной схемаы
[191]
Обломок IC транзистора
[35]
Обломок датчика температуры
[16]
Беспроводные модули RF
[17]
Общецелевые реле
[6]
Диод SMD ТВ
[21]
Конденсаторы обломока тантала
[27]
Настоящие резисторы чувства
[9]
Микросхемы памяти EMMC
[22]
Гнезда IC ПОГРУЖЕНИЯ
[7]
Переключатель мощности ICs
[24]
Optocouplers выхода транзистора
[8]
Обломок СИД SMD
[16]
Управление ICs силы
[82]
контакт
Walton Electronics Co., Ltd.
Город:
shenzhen
Страна/регион:
china
Контактное лицо:
Walton-cara
контактная информация
контакт
1 - 10 из 59
Обломок IC транзистора
Optocouplers Broadcom Avago SOIC-4 выхода транзистора ACPL-217-50BE
Optocouplers Broadcom/Avago SOIC-4 выхода транзистора ACPL-217-50BE отношение выходного тока к току на входе (CTR: 50% (минута) на ЕСЛИ = 5 мам......
контакт
Add to Cart
Транзистор силы IPG20N06S4L14AATMA1 IC откалывает MOSFET 40V 60V канала n
MOSFET 40V 60V канала n транзистора силы IPG20N06S4L14AATMA1 Сил-транзистор OptiMOS-T2 Особенности • Двойной уровень логики N-канала - ре......
контакт
Add to Cart
2N3792 двухполярный поднос Pin TO-3 транзисторов BJT 80V 10A 5000mW 3
2N3792 двухполярная сила BJT транзисторов BJT Поднос TO-3 GP BJT PNP 80V 10A 5000mW 3-Pin Trans (2+Tab) Категория продукта: Дв......
контакт
Add to Cart
Транзистор 7.5A канала MOSFET NFET SO8 30V n NTMD4840NR2G
MOSFET NFET SO8 30V n NTMD4840NR2G - транзистор канала MOSFET – Сила, двойная, N-канал, SOIC-8 30 v, 7,5 a ОСОБЕННОСТИ• Низкий RDS (дальше)......
контакт
Add to Cart
Канал 600V n обломока IC транзистора MOSFET FCB36N60NTM SMD SMT
Оригинал полупроводников транзисторов MOSFET FCB36N60NTM дискретный Атрибут продукта Атрибут со значением Кате......
контакт
Add to Cart
MPS6560 двухполярные полупроводники 625mW транзисторов BJT дискретные
MPS6560 двухполярный оригинал полупроводников транзисторов BJT дискретный Атрибут продукта Атрибут со значением......
контакт
Add to Cart
обломок IC транзистора двухполярного соединения 2N3439 до отверстие TO393
транзисторы дискретных полупроводников 2N3439 двухполярные до отверстие TO-39-3 Изготовитель: первоначальный......
контакт
Add to Cart
PNP BCY70 BCY71 до обломок 350mW IC транзистора отверстия двухполярный
BCY71 через транзисторы отверстия двухполярные - СИГНАЛ TRANS BJT ДВУХПОЛЯРНЫЙ НЕБОЛЬШОЙ ОПИСАНИЕBCY70, BCY71 & BCY72 tranistors кремния плос......
контакт
Add to Cart
обломок IC транзистора 2N4416 через Ciss канала 30V отверстия JFET n низкий
оригинал 2N4416 до отверстие JFET n - канал - Ciss низкого уровня 30 v ОСОБЕННОСТИ • Геометрия InterFET N0026S • Малошумный: 4 nV/√Hz типичног......
контакт
Add to Cart
MOSFET обломока IC транзистора полупроводников TK30E06N1 S1X дискретный через отверстие
TK30E06N1, MOSFET транзисторов полупроводников S1X дискретный через отверстие . Отличает (1) низким на-сопротивлением сток-источника: MΩ 12,2 RDS......
контакт
Add to Cart
Запрос Корзина
0
Выбрать все
контакт