Walton Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты /

Обломок IC транзистора

контакт
Walton Electronics Co., Ltd.
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:Walton-cara
контакт
1 - 10 из 59

 Обломок IC транзистора

Optocouplers Broadcom Avago SOIC-4 выхода транзистора ACPL-217-50BE

Optocouplers Broadcom/Avago SOIC-4 выхода транзистора ACPL-217-50BE отношение выходного тока к току на входе  (CTR: 50% (минута) на ЕСЛИ = 5 мам......
контакт

Add to Cart

Транзистор силы IPG20N06S4L14AATMA1 IC откалывает MOSFET 40V 60V канала n

MOSFET 40V 60V канала n транзистора силы IPG20N06S4L14AATMA1 Сил-транзистор OptiMOS-T2 Особенности • Двойной уровень логики N-канала - ре......
контакт

Add to Cart

2N3792 двухполярный поднос Pin TO-3 транзисторов BJT 80V 10A 5000mW 3

2N3792 двухполярная сила BJT транзисторов BJT Поднос TO-3 GP BJT PNP 80V 10A 5000mW 3-Pin Trans (2+Tab) Категория продукта: Дв......
контакт

Add to Cart

Транзистор 7.5A канала MOSFET NFET SO8 30V n NTMD4840NR2G

MOSFET NFET SO8 30V n NTMD4840NR2G - транзистор канала MOSFET – Сила, двойная, N-канал, SOIC-8 30 v, 7,5 a ОСОБЕННОСТИ• Низкий RDS (дальше)......
контакт

Add to Cart

Канал 600V n обломока IC транзистора MOSFET FCB36N60NTM SMD SMT

Оригинал полупроводников транзисторов MOSFET FCB36N60NTM дискретный Атрибут продукта Атрибут со значением Кате......
контакт

Add to Cart

MPS6560 двухполярные полупроводники 625mW транзисторов BJT дискретные

MPS6560 двухполярный оригинал полупроводников транзисторов BJT дискретный Атрибут продукта Атрибут со значением......
контакт

Add to Cart

обломок IC транзистора двухполярного соединения 2N3439 до отверстие TO393

транзисторы дискретных полупроводников 2N3439 двухполярные до отверстие TO-39-3 Изготовитель: первоначальный......
контакт

Add to Cart

PNP BCY70 BCY71 до обломок 350mW IC транзистора отверстия двухполярный

BCY71 через транзисторы отверстия двухполярные - СИГНАЛ TRANS BJT ДВУХПОЛЯРНЫЙ НЕБОЛЬШОЙ ОПИСАНИЕBCY70, BCY71 & BCY72 tranistors кремния плос......
контакт

Add to Cart

обломок IC транзистора 2N4416 через Ciss канала 30V отверстия JFET n низкий

оригинал 2N4416 до отверстие JFET n - канал - Ciss низкого уровня 30 v ОСОБЕННОСТИ • Геометрия InterFET N0026S • Малошумный: 4 nV/√Hz типичног......
контакт

Add to Cart

MOSFET обломока IC транзистора полупроводников TK30E06N1 S1X дискретный через отверстие

TK30E06N1, MOSFET транзисторов полупроводников S1X дискретный через отверстие . Отличает (1) низким на-сопротивлением сток-источника: MΩ 12,2 RDS......
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0