Walton Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная / продукты /

Микросхемы памяти EMMC

контакт
Walton Electronics Co., Ltd.
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:Walton-cara
контакт
1 - 10 из 43

 Микросхемы памяти EMMC

W25M02GVZEIT микросхемы памяти 2 Gbit NAND внезапные НИ внезапные EMMC

Память ICs Multichip W25M02GVZEIT упаковывает Winbond Изготовитель: Winbond Категория продукта: Пакеты Multichip......
контакт

Add to Cart

S29AL032D90TFI040 параллельное НИ флэш-память ICs Async Sram 90ns

S29AL032D90TFI040 НИ оригинал хранения данных ICs флэш-памяти Режимные характеристикиВысокая эффективность– Времена выборки как быстрые как 70 ns......
контакт

Add to Cart

Обломок 0.019048oz микросхем памяти 8Kx8 5V Fram FM25640-G EMMC

Память FM25640-G SMD/SMT & хранение данных F-RAM 64 k (8Kx8) 5 v ОСОБЕННОСТИ: RAM бита 64K Ferroelectric слаболетучий●Организованный как 8 1......
контакт

Add to Cart

Микросхемы памяти 4 Mbit SDR одновременные EMMC SRAM TQFP-100

SDR хранения данных SRAM TQFP-100 памяти IS61SP12832-5TQI одновременный Размер запоминающего устройства: 4 Mbit Вр......
контакт

Add to Cart

Длина 14mm хранения данных 8Kx9 микросхем памяти 72851L15PF FIFO

Хранение данных памяти 72851L15PF первоначальные FIFO 8K x 9 ДВОЙНОЕ FIFO ОСОБЕННОСТИ: • IDT72801 соответствующее до 2 IDT72201 256 x 9 FIFOs •......
контакт

Add to Cart

SRAM 4KX16 УДВАИВАЮТ микросхемы памяти PGA-84 IDT7024S ГАВАНИ EMMC активные

Хранение данных памяти подноса ДВОЙНОЙ ГАВАНИ IDT7024L20GB первоначальное SRAM 4KX16 Особенности ◆Истинные Двойн-перенесенные ячейки памяти кот......
контакт

Add to Cart

Параллель хранения данных NVRAM 512kx8 ICs памяти DS1250Y-70IND+

Оригинал хранения данных NVRAM ICs памяти DS1250Y-70IND+ параллельный ОСОБЕННОСТИ10 минимального лет удерживания данных в theabsence внешней силы......
контакт

Add to Cart

Микросхемы памяти AT45DB161D-SU EMMC НИ вспышка 16M 2.7V 66Mhz

AT45DB161D-SU первоначальные SMD/SMT НИ вспышка 16M, 2.7V, 66Mhz DataFlash Особенности • Одиночное 2.5V - 3.6V или 2.7V - поставка 3.6V • Посл......
контакт

Add to Cart

SST39VF6401B-70-4C-EKE НИ внезапный обломок 64 Mbit TSOP-48

Память ICs НИ внезапное SMD/SMT TSOP-48 SST39VF6401B-70-4C-EKE • Организованный как 4M x16 • Одиночное чтение напряжения тока и написать деятель......
контакт

Add to Cart

Драхма 8 Gbit 512Mx16 IC флэш-памяти MT40A512M16HA-083E

MT40A512M16HA-083E: ДРАХМА SDRAM ICs памяти - поднос DDR4 SMD/SMT • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV • VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV • На-плашка, внутренн......
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0