Низкий сигнал передает ТОШИБА GT50N322A Модуль ECAD Символ, след ноги & модель 3D PCB Состояние предложения и спро.........
Add to Cart
GT20J301: Канал n (применения) управлением мотора переключения наивысшей мощности Тошиба Тошиба изолировало канал IGBT n кремния транзистора ворот дв.......
Add to Cart
ТОШИБА изолировало канал ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярный ГТ30ДЖ121 Применения переключения наивысшей мощности Быстрые.........
Add to Cart
Описание продукта: Мощность высокотемпературная устойчивая к низкой утечке N канал IGBT Наши высоковольтные полупроводники способны эффективно обраб........
Add to Cart
Электронные блоки полупроводника MOSFET Тошиба SSM3K36MFV Особенности Категория Дискретные продукты полупрово.........
Add to Cart
Модуль МКК44-14ИО8Б полупроводника тиристора ИГБТ ИСИС высокочастотный дискретный Модули полупроводника ИСИС дискретные 44 Амп На.........
Add to Cart
Спецификации Атрибут Значение атрибута Производитель Toshiba Semiconductor и хранилища Категория продукции Регуляторы линейного напряже.........
Add to Cart
Водитель СКАЛЭТМ-2+ИГБТ канала ИГБТ Дуа и водитель МОСФЭТ ядр Q1. Что ваши термины упаковки? А: Вообще, мы пакуем наши товары в нейт.........
Add to Cart
Автомобильные IGBT-модули MSC100SM70JCU3 N-канальные IGBT-модули на основе карбида кремния 365 Вт Описание продуктаMSC100SM70JCU3 MSC100SM.........
Add to Cart
Характер продукции Продуктыполупроводника IXGH24N170 IXYS высоковольтные IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247ADдискретные Спецификация: Высоково.........
Add to Cart
256 каналов с PVC ABS ЛЮБИМЦА камеры Тошиба сдают в утиль пластиковые хлопья красят сортируя машину Когда сортировщица цвета работает, загрузоч.........
Add to Cart
Откройте профи - и - жулики IRG4IBC30S перед инвестировать ваши деньгиIRG4IBC30S правый выбор для ваших потребностей электроники? Если вы ищете с.........
Add to Cart
Сила MOSFET AONR21321 Пакет 8-DFN-EP полупроводника P-канала 30V электроники дискретный Тип FET P-к......
Add to Cart
Описание продукта: SiC Power Semiconductor представляет собой передовую технологию полупроводников электроэнергии, состоящую из карбида кремния (SiC........
Add to Cart
Н-канал очень быстрое ИГБТ СТГП7НК60ХД ГП7НК60ХД ТО220 с Ултрафаст диодом Описание Эти приборы очень быстрые ИГБТ начатые используя предварительную те......
Add to Cart
Обломок FET N-канала шелковой ширмы 70S360 IPN70R360P7S SOT-223 совершенно новый и первоначальный интегральной схемаы ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Ном.........
Add to Cart
Деталь продукта 1. Товары запаса, заказа или изготовляя гостеприимсво....
Add to Cart
Интегральные схемаы 2N7002DW микроконтроллера IC MCU электронных блоков 2N7002DW SOT-363 Спецификация деталь......
Add to Cart
Профессиональные электронные компоненты IGBT-модульУслуги по созданию бомбы Shenzhen Qingfengyuan Technology Co.Модуль IGBT1. Функциональность: модул.......
Add to Cart