полупроводник вафли

2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer Полупроводниковые субстраты 350um 650um ОписаниеInP вафля: Чипы InP (индий фосфид) являются широко использу.........

Тип тип субстрат дюйма 4Inch n VGF 2 p полупроводника вафли GaAs для эпитаксиального роста Вафля GaAs ранга VGF 2inch 4inch 6inch n типа основная.........

4" 6" 8" полупроводник Кристл вафли одиночного Кристл УВИДЕЛИ/оптически ранг Вафли/пробелы кварца одиночного Кристл сделаны синтетическ......

Компараторы двойное дифференциальное SMD/SMT SOIC-8 полупроводников кремниевой пластины LM393DR сетноые-аналогов Особенности 1 • НОВЫЕ LM393B и.........

Это дочерняя компания нашей группы для проектов вафли и обломока (uncut материала, неполноценного бренда, законченного продукта), и годные к употр.........

8 дюймовый черный антистатический горизонтальный вафлевый стек для полупроводникового чипа Вафли изготавливаются из обычного кремниевого песка, ко.........

Вафля SIC Вафля полупроводника, Inc. (SWI) снабжает высококачественную одиночную кристаллическую вафлю SiC (кремниевый карбид) электронная.........

Рука полупроводника точности покрывает руку механического Zirconia глинозема износостойкости при работе на истирание прочности керамическую Как керам.......

Н печатает, вафля ИнАс, 2", основная ранг, производство вафли Готов-полупроводника Эпи ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли арсенида индия одиночного кр.......

Конец полупроводника керамический - эффекторный с каналами вакуума для регуляции вафель силикона Характер продукции E-цыпленка полупрово.........

Лезвие пилы с покрытым диамантом Если вы ищете правых дисинг лезвий, то мы рекомендуем наши лезвия електроформед ХТ-РЭ скрепленные. Они высокая.........

Прецизионная керамика на основе диоксида циркония (ZrO₂) стала передовым материалом благодаря исключительному сочетанию свойств. Обладая выдающейся.........

Группа промышленного решения чистки кремниевой пластины двойная в концентрате Наиболее эффектно чистые кремниевые пластины, изготовители сил.........

Резьбовая палитра Полупроводниковые расходные материалы Основные особенности Решетка для гравирования изготовлена из высокочистой синтерированной ке........

Описание продукта: Процесс очистки занимает от 5 до 10 минут в зависимости от уровня загрязнения на пластинах.в зависимости от необходимости, позвол........