2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer Полупроводниковые субстраты 350um 650um
ОписаниеInP вафля:
Чипы InP (индий фосфид) являются широко используемым полупроводниковым материалом для производства высокопроизводительных оптоэлектронных устройств, таких как фотодиоды, лазеры и фотоэлектрические датчики.
- Кристаллическая структура: чипы InP имеют кубическую кристаллическую структуру с строго упорядоченной решетчатой структурой.
- Энергетический разрыв: чипы InP имеют небольшой прямой энергетический разрыв около 1,35 eV, что является полупроводниковым материалом в диапазоне видимого света.
- Индекс преломления: индекс преломления InP-вофы варьируется в зависимости от длины волны света и составляет около 3,17 в видимом диапазоне.
- Теплопроводность: InP имеет высокую теплопроводность около 0,74 Вт/см·К.
- Мобильность электронов: чипы InP имеют высокую мобильность электронов около 5000 см^2/(V·s).
- Размер чипа: чипы InP обычно поставляются в форме круглых чипов и могут иметь диаметр от нескольких миллиметров до нескольких дюймов.
- Поверхностные характеристики: поверхность чипа InP обычно специально обрабатывается для улучшения его плоскости и чистоты.
ОсобенностиВнутренний вафли:
Чип InP (индий фосфид) широко используется в области оптоэлектронных устройств в качестве материала субстрата полупроводниковых устройств.
- Пробел прямой энергии: чипы InP имеют небольшой пробел прямой энергии (около 1,35 eV), что позволяет им эффективно поглощать и излучать световые сигналы в видимом диапазоне.
- Высокая электронная подвижность: чипы InP имеют высокую электронную подвижность (примерно 5000 см^2/(V·s)), что делает их отличными электрическими свойствами в высокоскоростных электронных устройствах.
- Сильный фотоэлектрический эффект: чипы InP имеют сильный фотоэлектрический эффект, что делает их отличными в таких устройствах, как фотодетекторы и фотодиоды.
- Стабильность и надежность: чипы InP имеют хорошую тепловую стабильность и электрические свойства, что позволяет им работать в условиях высокой температуры и высокого электрического поля.
- Обширные методы приготовления: InP пластинки могут выращиваться различными методами приготовления, такими как металлоорганическое химическое отложение паров (MOCVD) и молекулярная лучевая эпитаксия (MBE).
Технические параметрыInP вафля:
| Положение |
Параметр |
УОМ |
| Материал |
ВП |
|
| Тип проводимости/допант |
S-C-N/S |
|
| Уровень |
Глупец. |
|
| Диаметр |
100.0+/-0.3 |
мм |
| Ориентация |
(100) +/- 0,5° |
|
| Площадь ламелярного двойника |
полезная однокристаллическая площадь с (100) ориентацией > 80% |
|
| Первичная плоская ориентация |
EJ ((0-1-1) |
мм |
| Первичная плоская длина |
32.5+/-1 |
|
| Вторичная плоская ориентация |
EJ ((0-11) |
|
| Вторичная плоская длина |
18+/-1 |
|
ПрименениеInP вафля:
Чип InP (индий фосфид), как субстрат материала полупроводниковых устройств, имеет отличные фотоэлектрические и электрические свойства.Ниже приведены некоторые из основных областей применения материалов InP чип-субстрата:
- Оптическая связь: может использоваться для производства световых передатчиков (таких как лазеры) и светоприемников (таких как фотодиоды) в системах связи из волоконного оптического тока.
- Оптическое обнаружение и обнаружение: фотодетекторы на основе чипов InP могут эффективно преобразовывать оптические сигналы в электрические сигналы для оптической связи, оптических измерений,спектральный анализ и другие приложения.
- Лазерная технология: лазеры на основе INP широко используются в оптической связи, оптическом хранилище, LiDAR, медицинской диагностике и обработке материалов.
- Оптоэлектронные интегральные схемы: чипы InP могут использоваться для изготовления оптоэлектронных интегральных схем (OEics),которая представляет собой интеграцию оптоэлектронных устройств и электронных устройств на одном чипе.
- Солнечные батареи: чипы InP имеют высокую эффективность фотоэлектрического преобразования, поэтому их можно использовать для производства эффективных солнечных батарей.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Какое торговое наименованиеInP вафля?
A1:Индий фосфидпроизводится ZMSH.
Вопрос 2: Какой диаметрИндий фосфид?
A2: ДиаметрИндий фосфиддлиной 2', 3', 4'.
Вопрос 3: Где находитсяИндий фосфидОт кого?
A3:Индий фосфидиз Китая.
Вопрос 4:Индий фосфидСертификат ROHS?
A4: Да,Индий фосфидявляется сертифицированным ROHS.
Q5: СколькоИндий фосфидЯ могу купить вафли за один раз?
A5: Минимальное количество заказаИндий фосфид5 штук.
Прочие продукты:
Кремниевые пластинки
