китай категории
Русский язык

2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer полупроводниковые субстраты 350um 650um

Номер модели:Индий фосфидный пластинка
Место происхождения:Китай
Минимальное количество заказа:5 шт.
Условия оплаты:T/T
Время доставки:через 15 дней
Подробная информация об упаковке:подгонянная коробка
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес: Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа: в рамках 13 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer Полупроводниковые субстраты 350um 650um


ОписаниеInP вафля:


Чипы InP (индий фосфид) являются широко используемым полупроводниковым материалом для производства высокопроизводительных оптоэлектронных устройств, таких как фотодиоды, лазеры и фотоэлектрические датчики.


  • Кристаллическая структура: чипы InP имеют кубическую кристаллическую структуру с строго упорядоченной решетчатой структурой.

  • Энергетический разрыв: чипы InP имеют небольшой прямой энергетический разрыв около 1,35 eV, что является полупроводниковым материалом в диапазоне видимого света.

  • Индекс преломления: индекс преломления InP-вофы варьируется в зависимости от длины волны света и составляет около 3,17 в видимом диапазоне.

  • Теплопроводность: InP имеет высокую теплопроводность около 0,74 Вт/см·К.

  • Мобильность электронов: чипы InP имеют высокую мобильность электронов около 5000 см^2/(V·s).

  • Размер чипа: чипы InP обычно поставляются в форме круглых чипов и могут иметь диаметр от нескольких миллиметров до нескольких дюймов.

  • Поверхностные характеристики: поверхность чипа InP обычно специально обрабатывается для улучшения его плоскости и чистоты.

ОсобенностиВнутренний вафли:


Чип InP (индий фосфид) широко используется в области оптоэлектронных устройств в качестве материала субстрата полупроводниковых устройств.


  • Пробел прямой энергии: чипы InP имеют небольшой пробел прямой энергии (около 1,35 eV), что позволяет им эффективно поглощать и излучать световые сигналы в видимом диапазоне.

  • Высокая электронная подвижность: чипы InP имеют высокую электронную подвижность (примерно 5000 см^2/(V·s)), что делает их отличными электрическими свойствами в высокоскоростных электронных устройствах.

  • Сильный фотоэлектрический эффект: чипы InP имеют сильный фотоэлектрический эффект, что делает их отличными в таких устройствах, как фотодетекторы и фотодиоды.

  • Стабильность и надежность: чипы InP имеют хорошую тепловую стабильность и электрические свойства, что позволяет им работать в условиях высокой температуры и высокого электрического поля.

  • Обширные методы приготовления: InP пластинки могут выращиваться различными методами приготовления, такими как металлоорганическое химическое отложение паров (MOCVD) и молекулярная лучевая эпитаксия (MBE).

Технические параметрыInP вафля:


ПоложениеПараметрУОМ
МатериалВП
Тип проводимости/допантS-C-N/S
УровеньГлупец.
Диаметр100.0+/-0.3мм
Ориентация(100) +/- 0,5°
Площадь ламелярного двойникаполезная однокристаллическая площадь с (100) ориентацией > 80%
Первичная плоская ориентацияEJ ((0-1-1)мм
Первичная плоская длина32.5+/-1
Вторичная плоская ориентацияEJ ((0-11)
Вторичная плоская длина18+/-1

ПрименениеInP вафля:


Чип InP (индий фосфид), как субстрат материала полупроводниковых устройств, имеет отличные фотоэлектрические и электрические свойства.Ниже приведены некоторые из основных областей применения материалов InP чип-субстрата:


  • Оптическая связь: может использоваться для производства световых передатчиков (таких как лазеры) и светоприемников (таких как фотодиоды) в системах связи из волоконного оптического тока.

  • Оптическое обнаружение и обнаружение: фотодетекторы на основе чипов InP могут эффективно преобразовывать оптические сигналы в электрические сигналы для оптической связи, оптических измерений,спектральный анализ и другие приложения.

  • Лазерная технология: лазеры на основе INP широко используются в оптической связи, оптическом хранилище, LiDAR, медицинской диагностике и обработке материалов.

  • Оптоэлектронные интегральные схемы: чипы InP могут использоваться для изготовления оптоэлектронных интегральных схем (OEics),которая представляет собой интеграцию оптоэлектронных устройств и электронных устройств на одном чипе.

  • Солнечные батареи: чипы InP имеют высокую эффективность фотоэлектрического преобразования, поэтому их можно использовать для производства эффективных солнечных батарей.


Часто задаваемые вопросы


Вопрос 1: Какое торговое наименованиеInP вафля?
A1:
Индий фосфидпроизводится ZMSH.


Вопрос 2: Какой диаметрИндий фосфид?
A2: Диаметр
Индий фосфиддлиной 2', 3', 4'.


Вопрос 3: Где находитсяИндий фосфидОт кого?
A3:
Индий фосфидиз Китая.


Вопрос 4:Индий фосфидСертификат ROHS?
A4: Да,
Индий фосфидявляется сертифицированным ROHS.


Q5: СколькоИндий фосфидЯ могу купить вафли за один раз?
A5: Минимальное количество заказа
Индий фосфид5 штук.


Прочие продукты:


Кремниевые пластинки

China 2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer полупроводниковые субстраты 350um 650um supplier

2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer полупроводниковые субстраты 350um 650um

Запрос Корзина 0