Информация о продукте
2' 4' InP Wafer Индий фосфид Wafer Полупроводниковые субстраты
350um 650um
ОписаниеInP вафля:
Чипы InP (индий фосфид) являются широко используемым
полупроводниковым материалом для производства
высокопроизводительных оптоэлектронных устройств, таких как
фотодиоды, лазеры и фотоэлектрические датчики.
- Кристаллическая структура: чипы InP имеют кубическую
кристаллическую структуру с строго упорядоченной решетчатой
структурой.
- Энергетический разрыв: чипы InP имеют небольшой прямой
энергетический разрыв около 1,35 eV, что является полупроводниковым
материалом в диапазоне видимого света.
- Индекс преломления: индекс преломления InP-вофы варьируется в
зависимости от длины волны света и составляет около 3,17 в видимом
диапазоне.
- Теплопроводность: InP имеет высокую теплопроводность около 0,74
Вт/см·К.
- Мобильность электронов: чипы InP имеют высокую мобильность
электронов около 5000 см^2/(V·s).
- Размер чипа: чипы InP обычно поставляются в форме круглых чипов и
могут иметь диаметр от нескольких миллиметров до нескольких дюймов.
- Поверхностные характеристики: поверхность чипа InP обычно
специально обрабатывается для улучшения его плоскости и чистоты.
ОсобенностиВнутренний вафли:
Чип InP (индий фосфид) широко используется в области
оптоэлектронных устройств в качестве материала субстрата
полупроводниковых устройств.
- Пробел прямой энергии: чипы InP имеют небольшой пробел прямой
энергии (около 1,35 eV), что позволяет им эффективно поглощать и
излучать световые сигналы в видимом диапазоне.
- Высокая электронная подвижность: чипы InP имеют высокую электронную
подвижность (примерно 5000 см^2/(V·s)), что делает их отличными
электрическими свойствами в высокоскоростных электронных
устройствах.
- Сильный фотоэлектрический эффект: чипы InP имеют сильный
фотоэлектрический эффект, что делает их отличными в таких
устройствах, как фотодетекторы и фотодиоды.
- Стабильность и надежность: чипы InP имеют хорошую тепловую
стабильность и электрические свойства, что позволяет им работать в
условиях высокой температуры и высокого электрического поля.
- Обширные методы приготовления: InP пластинки могут выращиваться
различными методами приготовления, такими как металлоорганическое
химическое отложение паров (MOCVD) и молекулярная лучевая эпитаксия
(MBE).
Технические параметрыInP вафля:
Положение | Параметр | УОМ |
Материал | ВП | |
Тип проводимости/допант | S-C-N/S | |
Уровень | Глупец. | |
Диаметр | 100.0+/-0.3 | мм |
Ориентация | (100) +/- 0,5° | |
Площадь ламелярного двойника | полезная однокристаллическая площадь с (100) ориентацией > 80% | |
Первичная плоская ориентация | EJ ((0-1-1) | мм |
Первичная плоская длина | 32.5+/-1 | |
Вторичная плоская ориентация | EJ ((0-11) | |
Вторичная плоская длина | 18+/-1 | |
ПрименениеInP вафля:
Чип InP (индий фосфид), как субстрат материала полупроводниковых
устройств, имеет отличные фотоэлектрические и электрические
свойства.Ниже приведены некоторые из основных областей применения
материалов InP чип-субстрата:
- Оптическая связь: может использоваться для производства световых
передатчиков (таких как лазеры) и светоприемников (таких как
фотодиоды) в системах связи из волоконного оптического тока.
- Оптическое обнаружение и обнаружение: фотодетекторы на основе чипов
InP могут эффективно преобразовывать оптические сигналы в
электрические сигналы для оптической связи, оптических
измерений,спектральный анализ и другие приложения.
- Лазерная технология: лазеры на основе INP широко используются в
оптической связи, оптическом хранилище, LiDAR, медицинской
диагностике и обработке материалов.
- Оптоэлектронные интегральные схемы: чипы InP могут использоваться
для изготовления оптоэлектронных интегральных схем (OEics),которая
представляет собой интеграцию оптоэлектронных устройств и
электронных устройств на одном чипе.
- Солнечные батареи: чипы InP имеют высокую эффективность
фотоэлектрического преобразования, поэтому их можно использовать
для производства эффективных солнечных батарей.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Какое торговое наименованиеInP вафля?
A1:Индий фосфидпроизводится ZMSH.
Вопрос 2: Какой диаметрИндий фосфид?
A2: ДиаметрИндий фосфиддлиной 2', 3', 4'.
Вопрос 3: Где находитсяИндий фосфидОт кого?
A3:Индий фосфидиз Китая.
Вопрос 4:Индий фосфидСертификат ROHS?
A4: Да,Индий фосфидявляется сертифицированным ROHS.
Q5: СколькоИндий фосфидЯ могу купить вафли за один раз?
A5: Минимальное количество заказаИндий фосфид5 штук.
Прочие продукты:
Кремниевые пластинки
Профиль Компании
КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД. размещает в городе Шанхая,
который самый лучший город Китая, и наша фабрика основана в городе Укси в 2014.
Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли,
субстраты и кустиомизед оптически стекло парц.компоненц широко
используемые в электронике, оптике, оптической электронике и много
других полей. Мы также работали близко с много отечественных и
международные университеты, научно-исследовательские институты и
компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их
проектов НИОКР.
Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми
клиентами нашими хорошими репутатяонс.