Кремниевый транзистор 175MHz 6W POWER MOSFET RD06HVF1 RF для применений усилителей Описание RD06HVF1 RD06HVF1 — это полевой МОП-транзистор, специально ......
Add to Cart
Транзисторы силы SI4010-C2-GSR RF Характер продукции: SI4010-C2-GSR высокопроизводительный транзистор силы RF специфически конструирован.........
Add to Cart
Тип мосфет ФЭТ МОС РД06ХВФ1 силы мосфет низкой мощности транзистора высоковольтный ОПИСАНИЕ РД06ХВФ1 тип транзистор ФЭТ МОС специфически констр.........
Add to Cart
STGW80H65DFB изолировало транзисторы транзистора 650V 80A 469W IGBT ворот двухполярные Применения • Фотовольтайческие инверторы • Высокочастотные.........
Add to Cart
Обломок интегральной схемаы транзисторов TO-247-3 транзисторов IXBX50N360HV одиночный IGBTs Характер продукции IXBX50N360HV IXBX50N360HV высоко.........
Add to Cart
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ОДИНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ SIHB22N60E MOSFET - ПАКЕТ D2PAK E3 600V 21A Тип FET: N-канал Рабочая температура: -55°.........
Add to Cart
Биполярные транзисторы BFT92 - микросхемы BJT Diode Transistor Integrated Circuits ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА Номер части #БФТ92производитсяИ.........
Add to Cart
Описание продукта: IGBT высокой мощности - это тип биполярного транзистора высокой мощности, в частности, тип биполярного транзистора с изолированн.........
Add to Cart
Первоначальная и новая трубка MOS транзистора SOT-89 ZVN4525ZTA Продукты Описание: MOSFET N-канала режима повышения 1.This 250V обеспечивает потреби........
Add to Cart
Датчик транзистора фото славы NMD NMD100 NS200 DeLaRue частей A007665 A004756 ATM ультракрасный Характер продукции датчика транзистора фото слав.........
Add to Cart
Частота коротковолнового диапазона транзистора влияния поля Мос канала АП10Х06С н Типы транзистора влияния поля Мос канала н Внутри общая.........
Add to Cart
DMT6009LSS-13 одиночные транзисторы канала 60V 10.8A MOSFET n Полупроводник MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 FETS дискретный Спецификация DM.........
Add to Cart
Спецификации NPT2010 Состояние части Активный Тип транзис...
Add to Cart
Изготовленный на заказ двойной MOSFET-чип IRLML6402TRPBF транзистор 65 мОм Описание продукта Номер частиИРЛМЛ6402ТРПБФпроизводитс.........
Add to Cart
Кремний НПН ПоверТрансистор транзисторов 2СД1899 НПН ПНП ОПИСАНИЕ ·Низкое напряжение тока сатурации сборника ·испытанная лавина 100% ·Минимальные изме......
Add to Cart
Транзистор Пол-влияния режима повышения N-канала NX7002AK NEXPERIA (FET) в небольшом SOT23 (TO-236AB) Поверхност-установил dТехнические данные продукт......
Add to Cart