Напряжение тока сатурации сборника кремния транзисторов 2СД1899 НПН ПНП материальное низкое
Номер модели:2SD1899
Место происхождения:Япония
Количество минимального заказа:10 шт
Термины компенсации:Т/Т, западное соединение, ЭСКРОВ
Способность поставкы:10000PCS
Срок поставки:Фондовой
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
УДАЧА RM 311 3/F LINZHAN СТРОЯ ЗОНУ ШЭНЬЧЖЭНЬ ДОРОГИ LIUYUE LONGGANG УЛИЦЫ SHENFENG No.1 SHENHUA, КИТАЙ
последний раз поставщика входа:
в рамках 41 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Кремний НПН ПоверТрансистор транзисторов 2СД1899 НПН ПНП
ОПИСАНИЕ
·Низкое напряжение тока сатурации сборника
·испытанная лавина 100%
·Минимальные изменения Сери-к-серии для крепкого представления прибора и надежной деятельности
ПРИМЕНЕНИЯ
·Высокие применения частоты перехода
Спецификации
Категория: БДЖТ - общее назначение
Изготовитель: ТЕХНОЛОГИЯ РЭНЭСАС
Течение сборника (ДК): 3 (а)
Напряжение тока коллектора- база: 60 (в)
Напряжение тока коллектор- эмиттера: 60 (в)
Напряжение тока Излучател-основания: 7 (в)
Частота: 120 (МХз)
Диссипация силы: 2 (в)
Устанавливать: Поверхностный держатель
Работая ряд Темп: -55К к 150К
Тип пакета: ТО-252
Отсчет Пин: 2 +Таб
Количество элементов: 1
Классификация рабочей температуры: Военный
Категория: Двухполярная сила
Затвердетый Рад: Нет
Полярность транзистора: НПН
Сила выхода: Не необходимый (в)
Конфигурация: Одиночный
Увеличение ДК настоящее: 60@0.2A @2В/50@2A @2В
Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-0755-82539981
Напряжение тока сатурации сборника кремния транзисторов 2СД1899 НПН ПНП материальное низкое
Запрос Корзина
0