китай категории
Русский язык
Главная /

silicon n channel mosfet high speed power switching

1 - 20 Результаты поиска по запросу silicon n channel mosfet high speed power switching от 72 продукты

IRLS4030TRLPBF MOSFET Power Electronics N-Channel 100V High Speed ​​Power Switching Package TO-263 Тип полевог...

Time : Nov,30,2024
контакт

Add to Cart

РенезаHAT2029R-EL-EЭлектронные компоненты HAT2029R-EL-E DC:22+ Пакет:SOP-8 Бренд:RENESAS Полупроводниковые решения-REN......

Time : Jun,22,2025
контакт

Add to Cart

Прочный высокоскоростной транзистор переключения силы, транзистор Дарлинтон силы Общее описание • Технология МОСФЭТ МВ силы канавы • Низк.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

P-канал PowerTrench MOSFET -30V транзистора силы Mosfet FDMS6681Z Особенности MΩ 3,2 Макс rDS (дальше) = на VGS = -10 v, ID = -21,1 a M......

Time : Dec,01,2024
контакт

Add to Cart

Тип МОСФЭТ МОС канала п кремния транзистора влияния поля ТПК8111 силы ХЭСФЭТ Применения литий-ионного аккумулятора Применения ПК тетради Порт.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

Удваивают - водители IC 90mΩ нагрузки переключателя мощности 14SOIC канала BTS5090-2EKA умные высокие бортовые Характер продукции BTS5090-2EK.........

Time : Apr,21,2025
контакт

Add to Cart

Высокоскоростной MOSFET мощности и IGBT драйвер 3-фазный высоковольтный драйвер шлюза Описание JY213H является высокоскоростной мощн.........

Time : Apr,28,2025
контакт

Add to Cart

BTS723GW --УМНАЯ НА СТОРОНЕ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ СОСТОЯНИЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ МОЩНОСТИ СООТВЕТСТВУЮЩАЯ ДЛЯ 42V Высокий свет:.........

Time : Nov,27,2024
контакт

Add to Cart

Водитель поверМОСФЭТ ВОДИТЕЛЯ СТОРОНЫ обломока ИК компьютера ИР2011СТРПБФ ПОВСЮДУ высокоскоростной Особенности ·Плавая канал конструировал для деятель......

Time : Dec,20,2019
контакт

Add to Cart

Инвертор солнечной энергии Mos N-канала 5.9mOhm транзистора силы 150V Mosfet IRFP4568PBF 171 Применения SMPS UPS Инвертор солнечной энергии Приво.........

Time : Nov,28,2024
контакт

Add to Cart

Канал 200В 18А Транс н ПОГРУЖЕНИЯ ИРФ640НПБФ переключая транзистор силы МОСФЭТ Описание МОСФЭТ с силы ® пятого поколения ХЭСФЭТ от междуна.........

Time : Jun,12,2024
контакт

Add to Cart

МОСФЭТ 55В 110А 200В Н-канала ИРФ3205ПБФ до отверстие ТО-220АБ Описание Предварительные МОСФЭЦ силы ХЭСФЭТ® от Интернатионал Выпрямитель тока использу......

Time : Nov,03,2023
контакт

Add to Cart

Водитель JY21L повсюду бортовой, высокое напряжение, высокоскоростной водитель MOSFET силы и IGBT основанные на процессе P-SUB P-EPI. Общее описа.........

Time : Apr,21,2025
контакт

Add to Cart

Описание продукта: Силиконовый карбид металлический оксид полупроводниковый транзистор с эффектом поля (SiC MOSFET) - это передовой тип силового уст........

Time : Jan,08,2025
контакт

Add to Cart

Оригинальный P-Channel Mosfet IRLML6402TRPBF / ИС для интегральных микросхем P-Channel Описание: Эти МОП-транзисторы P-Channel от International.........

Time : Jun,05,2024
контакт

Add to Cart

NCS20074DTBR2G — высокоскоростной драйвер сдвоенных MOSFET для мощных MOSFET и IGBT Найти информацию здесь в stock.xlsx Введение: NCS20074D.........

Time : Nov,29,2024
контакт

Add to Cart

Переключатель нагрузки двойного P-канала MOSFET NTJD1155L наивысшей мощности высокий бортовой с ровным переносом 8V ±1.3A 175mΩ [Кто мы?] .........

Time : Nov,24,2024
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0