Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
Сайт Участник
8 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

N- Направьте транзистор силы 55В Мосфет 110А 200В до отверстие ТО-220АБ ИРФ3205ПБФ

контакт
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrZhu
контакт

N- Направьте транзистор силы 55В Мосфет 110А 200В до отверстие ТО-220АБ ИРФ3205ПБФ

Спросите последнюю цену
Номер модели :IRF3205PBF
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :10pcs
Термины компенсации :Западное соединение, T/T, Paypal
Способность поставкы :консультация
Срок поставки :2-3 рабочих дней
Упаковывая детали :пакет 98ПКС/Стандард
Тип FET :N-канал
Стеките к напряжению тока источника :55V
Диссипация силы :200W
Рабочая температура :-55°C | 175°C
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

MOSFET 55V 110A 200W N-канала IRF3205PBF до отверстие TO-220AB

Описание

Предварительные MOSFETs силы HEXFET® от международного

Выпрямитель тока использует предварительные методы обработки достигнуть

весьма - низкое на-сопротивление в зону кремния. Это преимущество,

совмещенный с быстрой переключая скоростью и усиливанный

дизайн прибора что MOSFETs силы HEXFET известный

для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и

надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.

Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех

коммерчески-промышленные применения на уровнях диссипации силы

до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и

низкая цена пакета TO-220 вносит вклад в свое широкое

принятие в течении индустрии.

Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 55V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 110A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs 8 mOhm @ 62A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 146nC @ 10V
Vgs (Макс) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 3247pF @ 25V
Особенность FET -
Диссипация силы (Макс) 200W (Tc)
Рабочая температура -55°C | 175°C

 

Список других электронных блоков в запасе
CKCA43C0G1H220KT010N TDK   ADP3207JCPZ ADI
LM809M3X-4.63 NS   MC100EL56DWR2 НА
LH7A404N0F000B3 NXP   MAX4321EUK-T СЕНТЕНЦИЯ
HLMP-EL13-XYKOO AVAGO   FMMT717TA ZETEX
RT9162-33PX RICHTEK   767163104GPTR13 CTS
PLS153AN NXP   TL431ASF HTC
PBL40157/1GLQAR1B INFINEON   RD3.3M-T1B NEC
AC101-TF ALTIMA   LFB2H2G45SG7C220 MURATA
88RF838-A7-BKL2C000-P123 MARVELL   ACMD-4102-TR1 AVAGO
TLP541G-2 FSC   MSD8835WV MSTAR
MIC29150-5.0WT MICREL   LQM18NNR33K00D MURATA
MAX9060EUK+T СЕНТЕНЦИЯ   LM2576T-15/NOPB TI
ADF7020BCP ADI   KA556 FSC
LM392N NS   DS1307ZN+T&R СЕНТЕНЦИЯ
AD6654CBCZ ADI   DBL205G TSC
SL1461SA/KG/MPBD ZARLINK   TB6643KQ (O ТОШИБА
MPC860TZQ50D4 FREESCALE   REP015137/1 ANAREN
LM5068MM-4/NOPB NSC   QT161-ASG КВАНТ
SD833-04-TE12R SD833-04-TE12R   MAX155BCPI+ СЕНТЕНЦИЯ
SAFEB1G57FM0F00R14 MURATA   LTC3872ETS8 LT
Запрос Корзина 0