Технологию ltd электроники Шэньчжэня ATFU

Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Неэтилированный транзистор Мосфет канала н, транзистор ИРФ640НПБФ Мосфет 200В 18А высокоскоростной

контакт
Технологию ltd электроники Шэньчжэня ATFU
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissMia
контакт

Неэтилированный транзистор Мосфет канала н, транзистор ИРФ640НПБФ Мосфет 200В 18А высокоскоростной

Спросите последнюю цену
Номер модели :IRF640NPBF
Место происхождения :Первоначально фабрика
Количество минимального заказа :10pcs
Термины компенсации :T/T, Западная Union,PAYPAL
Способность поставкы :100000pcs
Срок поставки :1-3days
Упаковывая детали :Box
Серия :МОСФЭТ Н-КХ Транс
Применение :Коммерчески-промышленные применения
Пакет :Транс ПОГРУЖЕНИЯ
Напряжение :200V
Качество :Низкое На-сопротивление в кремний
Текущие :18А
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Канал 200В 18А Транс н ПОГРУЖЕНИЯ ИРФ640НПБФ переключая транзистор силы МОСФЭТ

Описание

МОСФЭТ с силы ® пятого поколения ХЭСФЭТ от международного выпрямителя тока использует предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой скоростью переключения и усиливанным дизайном прибора что МОСФЭЦ силы ХЭСФЭТ известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет ТО-220 универсально предпочтен для всех коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета ТО-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии.
Д2ПакповерхностныйпакетсилыдержателяспособныйнааккоммодатингумираетразмерыдоХЭС-4. Онобеспечиваетвозможностьсамой высокойсилыипредельно низкоенасопротивлениивлюбомсуществующемповерхностномпакетедержателя. Д2Паксоответствующийдлясильнотоковыхпримененийиз-засвоегонизкоговнутреннегосопротивлениясоединенияиможетрассеятьдо2.0Ввтипичномповерхностномприменениидержателя.
Версия через-отверстия (ИРФ640НЛ) доступна для применения низкопрофильного.

 
Особенность

 

л предварительный технологический прочесс

л динамическая оценка дв/дт
л 175°К работая емпературе т

л голодает переключение

л полно расклассифицированная лавина
л легкость проходить параллельно
л простые требования к привода

л неэтилированный

 

 

Пакет

 

Неэтилированный транзистор Мосфет канала н, транзистор ИРФ640НПБФ Мосфет 200В 18А высокоскоростной

 
 
Запрос Корзина 0