p усовершенствование модели мосфета

Транзистор Мосфет канала н ОЭМ, небольшой режим повышения переключателя мощности Мосфет ОПИСАНИЕ транзистора Мосфет канала н УТК 12Н60-К высо.........

40В интегральный микросхема DMT47M2SFVWQ 150°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET Описание продукта DMT47M2SFVWQ DMT47M2SFVWQ N-Channel MOSFET предс.........

JY4N8M N Режим усиления канала Мост на поверхности питания MOSFET для драйвера BLDC Общее описание: JY4N8M использует новейшие методы обработки тр.........

Mosfet силы канавы mosfet силы MOSFET РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА ZXMP10A17E6TA 100V линейный ОСОБЕННОСТИ • Низкое на-сопротивление • Быстра.........

DMN26D0UFB4-7 Диоды MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 DMN26D0UFB4-7B Производитель: Diodes IncorporatedКатегория продукции: MOSFE.........

MOSFET Повышени-режима N-канала FS8205A двойной (20V, 6A) 1.Description Этот N-канал 2.5V определил MOSFET изрезанная версия ворот предварительн.........

MOSFET силы режима повышения канала JY4P7M p для сильнотоковых применений нагрузки Общее описание В сильнотоковых применениях нагрузки, JY4P7M д.........

SOT-23 Пластмасс-помещают MOSFETS Транзистор влияния поля режима повышения N-канала BC3400 BC3400 SOT-23 Datasheet.pdf......

MOSFET режима повышения 20V N+N-Channel ОПИСАНИЕ 8H02ETSuses выдвинуло технологию канавы к обеспечьте превосходный RDS (ДАЛЬШЕ), низкую.........

MOSFETs HiPerFET силы Mosfet 800V 27A 0,32 Rds канала IXFK27N80Q n Описание MOSFETs Q-CLASS силы HiPerFETTM Одиночный MOSFET умирает Лавина реж.........

Дискритетные полупроводники PSMN1R1-30YLEX S...

LTC7004EMSE#TRPBF MOSFET Gate Drivers BCM88381CA1KFSBG 0402X104K100CT ИС управления питанием ОПИСАНИЕ LTC®7004 — это быстродействующий драйв.........

N и P канал 40V MOSFET JY13M Общие описания: JY13M - это транзисторы силового поля с режимом повышения логики N и P-каналов, которые могут обеспеч.........

Технические данные продукта Mosfets силы полупроводников SIHF10N40D-E3 транзистора канала n дискретные ЕС RoHS Уступчи.........