Мод исчерпания mosfet

МОперационные системыФETВластьЭлектроникаMGSF2N02ELT1G SOT-23 Package 2,8 A 20 VN МОП-транзистор с режимом расширения канала .........

МОСФЭТ режима повышения П-канала -30В Описание Общее описание: 9435А одиночные транзисторы влияния поля силы режима повышения логики.........

40В интегральный микросхема DMT47M2SFVWQ 150°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET Описание продукта DMT47M2SFVWQ DMT47M2SFVWQ N-Channel MOSFET предс.........

Mosfet силы канавы mosfet силы MOSFET РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ P-КАНАЛА ZXMP10A17E6TA 100V линейный ОСОБЕННОСТИ • Низкое на-сопротивление • Быстра.........

DMN26D0UFB4-7 Диоды MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 DMN26D0UFB4-7B Производитель: Diodes IncorporatedКатегория продукции: MOSFE.........

MOSFET Повышени-режима N-канала FS8205A двойной (20V, 6A) 1.Description Этот N-канал 2.5V определил MOSFET изрезанная версия ворот предварительн.........

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы вел обломоки IC телевидений Расход − N−Channel − JFETs общецелевой Транзисторы влияния по.........

VISHAY IC S525T-GS08Поверхностная установка SOT-223 S525T Параметры продукта Производитель: Вишай Категория продукции: Транзисторы МОСФЕТ Поля.........

Категория продукта: MOSFET Технология: Si Устанавливать стиль: SMD/SMT Пакет/случай: SOT-223-4...

Транзистор Мосфет силы РА30Х1317М для мобильной пользы 135-175МХз 30В 12.5В радио ОПИСАНИЕ РА30Х1317М модуль усилителя МОСФЭТ РФ 30 ватт для радио 12......

Мощный полевой МОП-транзистор NVMS5P02 с одним P-каналом в улучшенном режиме, мощный полевой МОП-транзистор -20 В, -5,4 А, 33 мОм [Втчо м.........

MOSFET режима повышения 20V N+N-Channel ОПИСАНИЕ 8H02ETSuses выдвинуло технологию канавы к обеспечьте превосходный RDS (ДАЛЬШЕ), низкую.........

Пакет канала 600В ТО220Ф-3 ДЖИ16М н МОСФЭТ силы режима повышения для водителя мотора БЛДК ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ ДЖИ16М использует самые последние методы об........

Электрическая автоматическая система режим запуска IG100 150-300 бар для производительности IG100 использует 100% азота под давлением, который соста........

Первоначальный новый транзистор PNP SOT-23 MOSFET NPN (SOT-23-3) LN2306LT1G Продукты Описание: 1. MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R Trans 2. N-.........

Двойной пакет To-50 аудиона радиочастоты трубки креста влияния поля канала n ворот Кремний n - Mos канала двузатворный - Fet 20V 20mA 225mW.........

MOSFET силы режима повышения канала JY8N5M n для электропитания режима переключателя Общее описаниеПродукт использует предварительные плоскостные ме........