Транзисторы полупроводников MOSFET BSP135 L6906 дискретные 1 N-канал

Номер модели:BSP135 L6906

Место происхождения:Оригинал

Количество минимального заказа:10PCS

Условия оплаты:L/C, западное соединение, palpay

Способность поставки:1000PCS/Months

Срок поставки:2-3 трудодня

контакт

Add to Cart

Walton Electronics Co., Ltd.

Активный участник

Shenzhen China

Адрес: 5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN

последний раз поставщика входа: в рамках 48 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

Категория продукта:	MOSFET
Технология:	Si
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	SOT-223-4
Полярность транзистора:	N-канал
Количество каналов:	1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	600 v
Id - непрерывное течение стока:	120 мам
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	30 омов
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 20 V, + 20 V
Минимальная рабочая температура:	- 55 c
Максимальная рабочая температура:	+ 150 c
Pd - диссипация силы:	1,8 w
Режим канала:	Расход
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Конфигурация:	Одиночный
Время падения:	5,6 ns
Высота:	1,6 mm
Длина:	6,5 mm
Продукт:	Сигнал MOSFET небольшой
Тип продукта:	MOSFET
Время восхода:	5,6 ns
Серия:	BSP135
	1000
Subcategory:	MOSFETs
Тип транзистора:	1 N-канал
Типичное время задержки поворота-:	28 ns
Типичное время задержки включения:	5,4 ns
Ширина:	3,5 mm
Часть # псевдонимы:	BSP135L6906HTSA1
Вес блока:	0,003951 oz

Метки товара:

IGBT полупроводники полупроводники cmos Мосфетный массив

Запрос Корзина 0

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9