Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная / продукты / Power Mosfet Transistor /

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы вел обломоки IC телевидений

контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контакт

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы вел обломоки IC телевидений

Спросите последнюю цену
Номер модели :2N5458
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1000pcs
Термины компенсации :T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :50000pcs
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
Особенности :N−Channel для более высокого увеличения
Features2 :Сток и источник заменимые
Features3 :Высокое входное комплексное сопротивление AC
Features4 :Высокое сопротивление входа DC
Features5 :Низкие переход и входная емкость
Features6 :Низкое искажение Cross−Modulation и интермодуляции
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы вел обломоки IC телевидений

 

 

 

Расход − N−Channel − JFETs общецелевой

Транзисторы влияния поля соединения N−Channel, режим расхода (напечатайте a на машинке) конструировали для применений аудио и переключения.

 

Характеристики

• N−Channel для более высокого увеличения

• Сток и источник заменимые

• Высокое входное комплексное сопротивление AC

• Высокое сопротивление входа DC

• Низкие переход и входная емкость

• Низкое искажение Cross−Modulation и интермодуляции

• Пакет Unibloc помещенный пластмассой • Пакеты Pb−Free Available*

 

 
МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНОСТИ
Классифицировать Символ Значение Блок
Напряжение тока Drain−Source VDS 25 Vdc
Напряжение тока Drain−Gate VDG 25 Vdc
Обратное напряжение тока Gate−Source VGSR −25 Vdc
Течение строба IG 10 mAdc
Полная диссипация прибора @ TA = 25°C Derate над 25°C PD 310 2,82 mW mW/°C
Работая температура соединения TJ 135 °C
Диапазон температур хранения Tstg −65 до +150 °C

 

Усилия превышая максимальные номинальности могут повредить прибор. Максимальные номинальности номинальности усилия только. Не подразумевается функциональная деятельность над порекомендованными условиями Operating. Выдвинутое подвержение к усилиям над порекомендованными условиями Operating может повлиять на надежность прибора

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Перевозка груза пакета прибора

блоки 2N5457 TO−92 1000/коробка

блоки 2N5458 TO−92 1000/коробка

2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 блоков/коробка

 

Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы вел обломоки IC телевидений

 

Запрос Корзина 0