
Add to Cart
Линейный транзистор 2N5458 JFETs Mosfet силы вел обломоки IC телевидений
Расход − N−Channel − JFETs общецелевой
Транзисторы влияния поля соединения N−Channel, режим расхода (напечатайте a на машинке) конструировали для применений аудио и переключения.
Характеристики
• N−Channel для более высокого увеличения
• Сток и источник заменимые
• Высокое входное комплексное сопротивление AC
• Высокое сопротивление входа DC
• Низкие переход и входная емкость
• Низкое искажение Cross−Modulation и интермодуляции
• Пакет Unibloc помещенный пластмассой • Пакеты Pb−Free Available*
Классифицировать | Символ | Значение | Блок |
Напряжение тока Drain−Source | VDS | 25 | Vdc |
Напряжение тока Drain−Gate | VDG | 25 | Vdc |
Обратное напряжение тока Gate−Source | VGSR | −25 | Vdc |
Течение строба | IG | 10 | mAdc |
Полная диссипация прибора @ TA = 25°C Derate над 25°C | PD | 310 2,82 | mW mW/°C |
Работая температура соединения | TJ | 135 | °C |
Диапазон температур хранения | Tstg | −65 до +150 | °C |
Усилия превышая максимальные номинальности могут повредить прибор. Максимальные номинальности номинальности усилия только. Не подразумевается функциональная деятельность над порекомендованными условиями Operating. Выдвинутое подвержение к усилиям над порекомендованными условиями Operating может повлиять на надежность прибора
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
Перевозка груза пакета прибора
блоки 2N5457 TO−92 1000/коробка
блоки 2N5458 TO−92 1000/коробка
2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 блоков/коробка