сдрам ГДР ии

Регулятор прекращения ЛП2997 ДДР-ИИ Общее описание Линейный регулятор ЛП2997 конструирован для того чтобы соотвествовать спецификациям ДЖЭ.........

Регулятор оконечной нагрузки LP2997 DDR-II Общее описание Линейный стабилизатор LP2997 разработан в соответствии со спецификациями J.........

ГДР SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA Изготовитель Samsung MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA Часть #C500275 JLCPCB PackageFBGA-96 Des...

1-1473005-1 TE Connectivity AMP Connectors 1473005 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRAM Подробности : 200-позиционный разъем SODIMM DDR SDRA.........

MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - 1 ГБ DDR SDRAM Найти информацию здесь в stock.xlsx Введение: MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - это модуль DDR SDRAM емкостью 1 ГБ,........

Спецификации Атрибут Значение атрибута Производитель Альянс Память, Inc. Категория продукции Мемориальные микросхемы Серия - Опаковк.........

Перечисление продукта:MT41K256M16TW-107 AIT: Обломоки флэш-памяти p Параметры: - Емкость: 256Mb - Организация: 16M x 16 - Тип: SDRAM - Плотность: 4Gb.......

МТ46В16М16П-5Б: К ТР 46В16М16 СДРАМ - параллель 200МХз 700пс 66-ТСОП ИК 256Мб памяти ГДР (16М кс 16) Список других электронных блоков в запасе ТЛЭ6250......

Технические данные продукта ЕС RoHS Уступчивый ECCN (США) EAR99 Состояние части Устарелый Автомобильный......

SDRAM - память IC MT46V16M16P-5B ГДР: Параллель m 256Mbit 200 MHz 700 обломок Ps 66-TSOP электронный IC ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ Номер детали MT46V16M.........

Память IC Samsung K4A4G165WF-BCTD FBGA-96 ГДР SDRAM Память IC интегральная схемаа которая конструирована для того чтобы накапливать данные и запрогра.......

LP2998QMRX/NOPB TI Профессиональное управление PMIC ГДР i силы & прекращение ГДР II Reg SOP-8 AEC-Q100 LP2998QMRE/NOPBLP2998QMR/NOPB......

Циркуляр частей BIS10PLN0314F авиации стандартный контактирует материал медного сплава Описания частей авиации: Линейный регулятор LP2998 конструирова......

ДРАХМА 512M IS42S16320F-6TLI, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 Pin TSOP II (400 Mil) RoHS, ИТ 1.FEATURES Тактовая частота: 200, 166, 143 MHz• Полно......

Применение: Пакет FCBGA, пакет FCCSP, субстрат памяти NandFlash, полупакет, полупроводники, полупроводники, пакет IC, субстрат IC, uMCP, MCP, UFS, CMO......

Обломок ДРАХМЫ SDRAM HY57V561620FTP-HI 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Доставка: 1, мы можем доставка во всем мире DHL, UPS, Federal Expr.........