ДРАХМА IS42S16320F-6TLI Pin TSOP II 512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54

ДРАХМА 512M IS42S16320F-6TLI, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 Pin TSOP II (400 Mil) RoHS, ИТ

1.FEATURES

Тактовая частота: 200, 166, 143 MHz
• Полно одновременный; все сигналы снабдили ссылками к положительному краю часов
• Внутренний банк для пряча доступа/дозарядки строки
• Электропитание: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxF - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxF - Vdd/Vddq = 2,5
• Интерфейс LVTTL• Programmable разрыванная длина – (1, 2, 4, 8, полная страница)
• Programmable разрыванная последовательность: Последовательный/Interleave • Автомобиль освежает (CBR)• Собственная личность освежает
• 8K освежают задействуют каждую госпожу 64
• Случайный адрес столбца каждый такт
• Programmable латентность CAS (2, 3 часа)
• Взрыв прочитанные, что/написал и разрывал прочитанный/одиночный пишет возможность деятельности
• Прекращение взрыва разрыванными стопом и командой дозарядки
• Пакеты: x8/x16: 54 штырь TSOP-II, 54 шарик TF-BGA (x16 единственное)
• Диапазон температур
: Реклама (0oC к +70oC)
Промышленный (- 40oC к +85oC)
Автомобильный, A1 (- 40oC к +85oC)
Автомобильный, A2 (- 40oC к +105oC)

обзор 2.DEvIcE

512Mb SDRAM высокоскоростной CMOS, динамическое оперативное запоминающее устройство конструированное для того чтобы работать в любых системах 3.3V Vdd/Vddqor 2.5V Vdd/Vddqmemory, в зависимости от варианта ДРАХМЫ. Внутренне установленный как ДРАХМА квадрацикл-банка с одновременным интерфейсом.
512Mb SDRAM (536 870 912 бита) включает АВТОМОБИЛЬ ОСВЕЖАЕТ РЕЖИМ, и энергосбережение, силу-downmode. Все сигналы зарегистрированы на положительном крае сигнала часов, CLK. Все входы и выходы LVTTL совместимые.
512Mb SDRAM имеет способность одновременно разрывать данные на высоком тарифе данных с автоматическим поколением столбец-адреса, способности interleave между внутренними банками для скрывания времени дозарядки и возможности случайно изменять адреса столбца на каждом такте во время разрыванного доступа
. Само-синхронизированная дозарядка строки начала в конце взрыва
последовательность доступна с АВТОМАТИЧЕСКОЙ ДОЗАРЯДКОЙ functionenabled. Банк дозарядки одного пока получение доступа к одного из других 3 банков спрячет циклы дозарядки и предусмотрит безшовную, высокоскоростную, произвольно-доступную деятельность.
SDRAM прочитало и доступы для записи разрыванное ориентированное начало на выбранном положении и продолжать для запрограммированного количества положений в запрограммированной последовательности. Регистрация АКТИВНОЙ команды начинает доступ, следовать ЧТЕНИЕМ или ПИШЕТ команду. АКТИВНАЯ команда совместно с зарегистрированными двоичными разрядами адреса использована для того чтобы выбрать банк и строку, который нужно получить доступ (BA0, BA1 выбирают банк; A0-A12 выбирают строку). ЧТЕНИЕ или НАПИСАТЬ команды совместно с зарегистрированными двоичными разрядами адреса использовано для того чтобы выбрать начиная положение столбца для разрыванного доступа.
Programmable ЧТЕНИЕ или ПИШЕТ разрыванные длины состоит из 1, 2, 4 и 8 положений или полной страницы, с взрывом для того чтобы прекратить вариант

Штырь TSOP 3.PIN CONFIGURATIONS54 - тип II для x16

4.Why выбирают нас?

100% новое и originao с ценой преимущества
Высокая эффективность
Быстрая доставка
Профессиональное обслуживание команды
10 электронных блоков многолетнего опыта
Агент электронных блоков
Скидка преимущества логистическая
Превосходное послепродажное обслуживание

CO. технологии Шэньчжэня Hongxinwei, Ltd расположено в районе Bao'an Shenzhen.It высокотехнологичные научные исследования и разработки установки предприятия, продукция, продажи в интеграцию. Компания покрывает зону 15 акров, имеющ современную производя мастерскую и профессиональные испытательные оборудования продукции и. Компания имеет существующий штат больше чем 100 человек. Компания настраивала офисы в Шэньчжэне, Гонконге и Сингапуре обеспечивая всемирное обслуживание.