CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты /

Транзистор влияния поля Mos

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт
1 - 10 из 58

 Транзистор влияния поля Mos

материал кремния АлфаСГТ ХСИ4264 канала н транзистора влияния поля Мос 60В

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264 Сводка продукта ВДС 60В ИД (на ВГС=10В) 13.5А РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГ
контакт

Add to Cart

Привод ворот уровня логики транзистора влияния поля 60в Мос АлфаСГТ ХСИ4266

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4266 Сводка продукта ВДС 60В ИД (на ВГС=10В) 11А РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=10В)......
контакт

Add to Cart

Обязанность ворот транзистора влияния поля Мос ХСИ4404 низкая для переключая применения

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264 Сводка продукта ВДС 30В ИД (на ВГС=10В) 8.5А РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС......
контакт

Add to Cart

ИД 13А РДС транзистора влияния поля Мос ХСИ4406А ВДС 30В (ДАЛЬШЕ) < 11.5мΩ

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264 Сводка продукта ВДС 30В ИД (на ВГС=10В) 13А РДС (ДАЛЬШЕ) (на ВГС=......
контакт

Add to Cart

Тип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных применений

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264 Сводка продукта ВДС (в) = 30В И = 18А Д Ω РДС (ДАЛЬШЕ ) 11м (вГС = 10В) РДС(ДАЛЬШЕ)< 19m=""> Г......
контакт

Add to Cart

Канал ВГС 10В н транзистора влияния поля Мос ХСИ4466 30В малошумный

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264 Сводка продукта ВДС 30В И = 10А ВГС = 10В) РДС (ДАЛЬШЕ) < 23m="">
контакт

Add to Cart

Транзистор силы Мосфет ХСИ2300, транзистор влияния поля голодает переключение

СОТ-23 Пластмасс-помещают МОСФЭТС ХСИ2300 Сводка продукта МΩ@ 4.5В 5,0 а ВДСС= РДС (дальше) в ИД= 32 < VGS="z" RDS="">......
контакт

Add to Cart

МОСФЭТ канала 20-В н транзистора влияния поля Мос ХСИ2302З (Д-С)

СОТ-23 Пластмасс-помещают МОСФЭТ Н-канала 20-В МОСФЭТС ХСИ2302З (Д-С) Сводка продукта РДС (дальше) РДС (дальше) ИД=2.3А ВДСС=2......
контакт

Add to Cart

транзистор силы Мосфет 11А, переключение транзистора наивысшей мощности высокочастотное

60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4266 Сводка продукта ВДСС= В ИД= 3,6 А 30 з РДС (дальше) < m=""> з РДС (дальше) < m=""> ОСО......
контакт

Add to Cart

Помещенная пластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос канала ХСИ2308 н

СОТ-23 Пластмасс-помещают МОСФЭТ Н-канала МОСФЭТС ХСИ2308 Сводка продукта ВДСС= В ИД= 3,0 А 60 РДС (дальше) 120мΩ@ 10 в < VGS="......
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0