CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

Тип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных применений

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Тип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных применений

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ХСИ4410
Название продукта :транзистор силы mosfet
Температура соединения :150℃
Материал :кремний
Случае :Лента/поднос/вьюрок
Тип :Транзистор Mosfet
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
60В Н-канал АлфаСГТ ХСИ4264
 

 

Сводка продукта

 

 

ВДС (в) = 30В

И = 18А

Д

РДС (ДАЛЬШЕ<> ) 11м (вГС = 10В)

РДС(ДАЛЬШЕ)< 19m=""> ГС = 4.5В)

 

 

Общее описание

 

Выдвинутая пользами технология канавы ХСИ4410 к

обеспечьте превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), всход-через невосприимчивость,

характеристики диода тела и ультра-низкие ворота

сопротивление. Этот прибор идеально одет для пользы как а

низкий бортовой переключатель в силе ядра К.П.У. тетради

преобразование.

 

 

 

Тип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных применений

 

 

 

Электрические характеристики (т =25°К если не указано иное)

 

 

Тип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных применений

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с Та =25°К.

значение в любом, который дали применении зависит от дизайна доски потребителя специфического.

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное.

К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать

инитялТ =25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе которым измеряет с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с

2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночную оценку ИМПа ульс.

Г. Круг обязаностей 5% шипа максимальное, ограниченный температурой соединения ТДЖ (МАКСОМ) =125°К.

 

ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

Тип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных примененийТип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных примененийТип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных примененийТип переключение ХСИ4410 н нагрузки транзистора для портативных применений

 

Запрос Корзина 0